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Journal of semiconductor technology and science v.7 no.2, 2007년, pp.98 - 101   피인용횟수: 3

A Fully Integrated 5-GHz CMOS Power Amplifier for IEEE 802.11a WLAN Applications

Baek, Sang-Hyun   (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Korea Advanced Institute of Science and TechnologyUU0001375  ); Park, Chang-Kun   (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Korea Advanced Institute of Science and TechnologyUU0001375  ); Hong, Song-Cheol   (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Korea Advanced Institute of Science and TechnologyUU0001375  );
  • 초록

    A fully integrated 5-GHz CMOS power amplifier for IEEE 802.11a WLAN applications is implemented using $0.18-{\mu}m$ CMOS technology. An on-chip transmission-line transformer is used for output matching network and voltage combining. Input balun, inter-stage matching components, output transmission line transformer and RF chokes are fully integrated in the designed amplifier so that no external components are required. The power amplifier occupies a total area of $1.7mm{\times}1.2mm$ . At a 3.3-V supply voltage, the amplifier exhibits a 22.6-dBm output 1-dB compression point, 23.8-dBm saturated output power, 25-dB power gain. The measured power added efficiency (PAE) is 20.1 % at max. peak, 18.8% at P1dB. When 54 Mbps/64 QAM OFDM signal is applied, the PA delivers 12dBm of average power at the EVM of -25dB.


  • 주제어

    CMOS power amplifier (PA) .   WLAN .   transmission-line transformer (TLT) .   on-chip.  

  • 참고문헌 (2)

    1. Wireless LAN Medium Access Control (MAC) and Physical Layer (PHY) Specifications: High Speed Physical Layer in the 5 GHz Band, IEEE Std. 802.11a-1999, Sep. 1999 
    2. Tirdad Sowlati and Domine M. W. Leenaerts, 'A 2.4-GHz 0.18-${\mu}m$ CMOS self-biased cascode power amplifier,' IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 38, pp. 1318-1324, Aug. 2003 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (3)

    1. Ku, Bon-Hyun ; Hong, Song-Cheol 2009. "Design of CMOS Multifunction ICs for X-band Phased Array Systems" 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신, 46(12): 6~13     
    2. 2009. "" Journal of semiconductor technology and science, 9(4): 257~265     
    3. 2014. "" Journal of semiconductor technology and science, 14(2): 235~245     

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