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증착 및 열처리온도에 따른 SCT 박막의 구조적인 특성
Structural Properties of SCT Thin Film with Deposition and Annealing Temperature

김진사   (광운대학교 전기공학과UU0000194  );
  • 초록

    The (SrCa) $TiO_3$ (SCT) thin films were deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiN/ $SiO_2$ /Si) using RF sputtering method according to the deposition condition. The crystallinity of SCT thin films were increased with increase of deposition temperature in the temperature range of $100{\sim}500[^{\circ}C]$ . The optimum conditions of RF power and Ar/ $O_2$ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin films was about $18.75[{\AA}/min]$ at the optimum condition. The composition of SCT thin films deposited on Si substrate is close to stoichiometry (1.081 in A/B ratio). The maximum dielectric constant of SCT thin film was obtained by annealing at $600[^{\circ}C]$ .


  • 주제어

    Thin Film .   Annealing .   Deposition Temperature .   Dielectric Constant.  

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    9. 2001 "RF 마그네트론 스퍼터링법에 의한 SBT 박막의 강유전체 특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 14 (9): 731~735    
    10. 2001 "$(Sr_{1-x}Ca_x)TiO_3$세라믹 박막의 미세구조 및 특성" 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 50 (10): 504~508    

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