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Si와 GaAs기판 위에 AIN 박막의 전기적 특성
Properties Electric of AIN Thin Film on the Si and GaAs Substrate

박정철   (경원대학교 IT대학 전자공학UU0000122  ); 추순남   (경원대학교 공과대학 전기공학UU0000122  ); 권정렬   (명지대학교 공과대학 전기공학과UU0000539  ); 이헌용   (명지대학교 공과대학 전기공학과UU0000539  );
  • 초록

    To study the effects of $H_2$ gas on AIN insulation thin film, we prepared AIN thin film on Si and GaAs substrate by means of reactive sputtering method using $H_2$ gas as an additives, With treatment conditions of $H_2$ gas AIN thin film shows variable electrical properties such as its crystallization and hysterisis affected to electrical property, As a results, AIN thin film fabricated on Si substrate post-treated with $H_2$ gas for 20 minutes shows much better an insulation property than that of pre-treated, And AIN film treated with $H_2$ gas comparing to non-treated AIN film shows a flat band voltage decreasment. But In GaAs substrate $H_2$ gas does not effect on the flat band voltage.


  • 주제어

    Si .   GaAs .   Flat band voltage .   AIN thin film .   Reactive sputtering method.  

  • 참고문헌 (14)

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    14. 고봉철, 남창우, 'SAW 소자응용을 위한 실리 콘 기판 위에 AlN 박막의 최적 증착 조건에 관한 연구', 센서학회지, 16권, 4호, p. 301, 2007     

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  • 권정열 (4)

    1. 1995 "$(Zr_{0.65}, Sn_{0.35})Ti_{1.04}O_{4.04}$세라믹스의 NiO첨가에 따른 고주파 유전 특성" 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 (5): 594~600    
    2. 1999 "스퍼터링시 수소첨가가 MIS소자용 AIN절연박막의 전기적특성에 미치는 영향" 수소에너지 = Journal of the Korean Hydrogen Energy Society 10 (1): 59~69    
    3. 2000 "돌입전류 제한용 $Mn_3$$O_4$-NiO-CuO-$Co_3$$O_4$-ZnO계 NTC 써미스터에서 ZnO/$Mn_3$$O_4$비에 따른 전기적 특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 13 (6): 472~477    
    4. 2007 "염료감응형 태양전지의 탄소대항전극 제조 시 바인더 함량 변화에 따른 전기적 특성" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 20 (4): 337~341    
  • 이헌용 (28)

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