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희토류 금속을 이용한 니켈 실리사이드의 전기 및 물리적 특성
Electrical and Physical Characteristics of Nickel Silicide using Rare-Earth Metals

이원재   (삼성전자(주) 시스템 LSI사업부CC0101996  ); 김도우   (한국폴리텍여자대학 디지털디자인과UU0001450  ); 김용진   (매그나칩 반도체 SMS사업부CC0113436  ); 정순연   (충남대학교 전자공학과UU0001302  ); 왕진석   (충남대학교 전자공학과UU0001302  );
  • 초록

    In this paper, we investigated electrical and physical characteristics of nickel silicide using rare-earth metals(Er, Yb, Tb, Dy), Incorporated Ytterbium into Ni-silicide is proposed to reduce work function of Ni-silicide for nickel silicided schottky barrier diode (Ni-silicided SBD). Nickel silicide makes ohmic-contact or low schottky barrier height with p-type silicon because of similar work function ( ${\phi}_M$ ) in comparison with p-type silicon. However, high schottky barrier height is formed between Ni-silicide and p-type substrate by depositing thin ytterbium layer prior to Ni deposition. Even though the ytterbium is deposited below nickel, ternary phase $Yb_xN_{1-x}iSi$ is formed at the top and inner region of Ni-silicide, which is believed to result in reduction of work function about 0.15 - 0.38 eV.


  • 주제어

    Ni-silicide .   SALICIDE .   Work function .   Schottky barrier diode (SBD).  

  • 참고문헌 (13)

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