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산화막 CMP에서 발생하는 온도가 연마특성에 미치는 영향
Effect of Temperature on Polishing Properties in Oxide CMP

김영진   (부산대학교 정밀가공시스템UU0000613  ); 박범영   (부산대학교 기계공학부UU0000613  ); 김형재   (한국생산기술연구원 초정밀성형가공팀CC0186930  ); 정해도   (부산대학교 기계공학부UU0000613  );
  • 초록

    We investigated the effect of process temperature on removal rate and non-uniformity based on single head kinematics in oxide CMP. Generally, it has been known that the temperature profile directly transfers to the non~uniformity of removal rate on the wafer, which has similar tendency with the sliding distance of wafer. Experimental results show that platen velocity is a dominant factor in removal rate as well as average temperature. However, the non-uniformity does not coincide between process temperature and removal rate, due to slurry accumulation and low deviation of temperature. Resultantly, the removal rate is strongly dependent on the rotational speed of platen, and its non -uniformity is controlled by the rotational speed of polishing head. It means lower WIWNU (With-in-wafer-non-uniformity) can be achieved in the region of higher head speed.


  • 주제어

    Oxide CMP .   Single head kinematics .   Temperature .   Removal rate .   Non-uniformity.  

  • 참고문헌 (7)

    1. 김형재, 'CMP 공정에서 발생하는 연마온도 분 포에 관한 연구', 한국정밀공학회지, 20권, 3호, p. 42, 2003 
    2. H. D. Jeong, 'Development of CMP process for global planarization of ULSI', J. of the Korean Society of Mechanical Engineers, Vol. 36, No. 3, p. 220, 1996 
    3. J. Sorooshian, 'Tribological, thermal and kinetic characterization of dielectric and metal chemical mechanical planarization process', University of Arizona, p. 71, 2005 
    4. M. R. Oliver, 'Chemical-Mechanical Planarization of Semiconductor Materials', Springer, p. 158, 2003 
    5. 김형재, '회전형 CMP장비의 속도 및 마찰력 분포 해석', 한국정밀공학회지, 20권, 5호, p. 41, 2003 
    6. 권대희, 'CMP특성과 온도의 상호관계에 관한 연구', 한국정밀공학회지, 19권, 10호, p. 161, 2002 
    7. 박범영, 'CMP 결과에 영향을 미치는 마찰 특 성에 관한 연구', 전기전자재료학회논문지, 17 권, 10호, p. 1041, 2004     

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