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다이오드를 이용한 가변 감쇠기의 설계 및 제작에 관한 연구
A Study on the Fabrication of Variable Attenuator using a Diode

전중성   (한국해양대학교 부설 산업기술연구소UU0001479  );
  • 초록

    This paper has been fabricated the two different type of variable attenuators using a characteristics of a 3 dB directional coupler and pin diodes. One was not analyzed using the conventional even-odd modes but used simple two-port techniques. The resulting scattering parameters described operation characteristics for the general case where the terminating impedances are equal and unequal. After analyzing resistor role of the ${\pi}$ type fixed attenuator. this paper used a pin diode instead of a resistor. The variable attenuators were fabricated using pin diodes for current-controlled attenuation on the coupled ports of a 3 dB branch-line coupler and ${\pi}$ type fixed attenuator. The realized variable attenuators have more than 33 dB attenuation ranges at 2.1 GHz. and the input and output reflection coefficients are less than -13 dB. These results could be applied to mobile communication systems. It can be varied gain of the power amplifier according to change a outdoor environmental temperature and improved linearity.


  • 주제어

    3 dB 방향성 결합기 .   ${\pi}$형 고정 감쇠기 .   초고주파 전력증폭기.  

  • 참고문헌 (6)

    1. Stepan Lucyszyn and Ian D. Robertson, 'Optically Induced Measurement Anomalies with Voltage-Tunable Analog-Control MMICs,' IEEE Transactions on MTT, Vol. 46, No. 8, August 1998, pp. 1109, section V. 'Analog Attenuators' subsection A. 'MESFET-Based Attenuator.' 
    2. Inder Bahl, Prakash Bhartia, Microwave solid state circuit design, wiley New York, pp. 667-670, 1988 
    3. J. Reed, G. J. Wheeler, 'A Method of Analysis of Symmetrical Four-Port Network,' IRE Trans. MTT-4, pp. 246-252, Oct., 1956 
    4. Robert E. Collin, Foundation for Microwave Engineering, 2nd ed., McGraw-Hill, New York, pp. 432, 1992 
    5. Stewart walker, 'A low phase shift attenuator', IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques vol. 42 No. 2, pp. 182-185, Feb. 1994 
    6. Behzad Razavi, RF Microelectronics, Prentice Hall PTR, pp. 54-97, 1998 

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