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상변화 박막의 두께에 따른 상변화 메모리의 전류 및 열 특성
Electrical and thermal characteristics of PRAM with thickness of phase change thin film

최홍규   (한국해양대학교 전기전자공학부UU0001479  ); 김홍승   (한국해양대학교 나노데이타 시스템학부UU0001479  ); 이성환   (위덕대학교 에너지전기공학부UU0001039  ); 장낙원   (한국해양대학교 전기전자공학부UU0001479  );
  • 초록

    In this paper, we analyzed the heat transfer phenomenon and the reset current variation of PRAM device with thickness of phase change material using the 3-D finite element analysis tool. From the simulation, Joule's heat was generated at the contact surface of phase change material and bottom electrode of PRAM. As the thickness of phase change material was decreased, the reset current was highly increased. In case thickness of phase change material thin film was $200\;{\AA}$ , heat increased through top electrode and reset current caused by phase transition highly increased. And as thermal conductivity of top electrode decreased, temperature of unit memory cell was increased.


  • 주제어

    상변화 메모리 .   유한요소법 .   상부전극 .   지우기 전류 .   열전도도.  

  • 참고문헌 (7)

    1. S.Y. Lee, K.j. Choi, S.O. Ryu, S.M. Yoon, N.Y. Lee, Y.S. Park, S.H. Lee and B.G. Yu, 'Polycrystalline silicon- germanium heating layer for phase- change memory application', Applied physic letter, Vol.89, pp.053517-1-3, 2006 
    2. I. Friedrich, V. Weidenhof, W. Njoroge, P. Franz, M.Wuttig, "Structural transfor- mation of $Ge_2Sb_2Te_5$ films studied by electrical resistance measurements', J. Appl. Phys., Vol.87, No.9, p.4130, 2000 
    3. S.H.Lee, Y.N.Hwang, S.Y.Lee, K.C. Ryoo, S.J.Ahn, H.C. Koo, W.C.Jeong, Y.T.Kim, G.H.Koh, G.T.Jeong, H.S. Jeong and Kinam Kim, 'Full Integra- tion and Cell Characteristics for 64Mb non-volatile PRAM', IEEE Symposium on VLSI Tech. Dig., pp.20-21, 2004 
    4. N.W.JANG, Y.J.SONG, H.H.KIM, D.J.JUNG, S.Y.LEE, J.K.LEE, C.J.KIM and KINAM KIM, 'Effects of UV Process on High Density 1T1C FRAM Device' Integrated Ferroelectrics, Vol. 39, pp.51-59, 2001 
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    6. S.Lai, T.Lowrey, 'OUM - A 180nm nonvolatile memory cell element tech- nology for stand alone and embedded applications', IEEE IEDM Tech. Dig., pp803, 2001 
    7. Y.N.Hwang, S.H.Lee, S.J.Ahn, S.Y. Lee, K.C.Ryoo, H.S. Hong, H.C. Koo, F. Yeung, J.H. Oh, H.J. Kim, W.C. Jeong, J.H Park, H. Horii, Y.H. Ha, J.H. Yi, G.H. Koh, G.T.Jeong, H.S. Jeong and Kinam Kim, 'Writing cur- rent reduction for high-density phase change RAM', IEDM 03, pp.893-896, 2003 

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