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Alg3 두께 변화에 따른 유기 발광 소자의 내장 전압
Built-in Voltage in Organic Light-emitting Diodes depending on the Alg3 Layer Thickness

이은혜   (홍익대학교 정보디스플레이공학과UU0001569  ); 윤희명   (홍익대학교 정보디스플레이공학과UU0001569  ); 김태완   (홍익대학교 정보디스플레이공학과UU0001569  );
  • 초록

    Built-in voltage in ITO/ $Alq_3$ / Al organic light-emitting diodes was studied by varying a thickness of $Alq_3$ layer using modulated photocurrent technique at ambient condition. A thickness of the $Alq_3$ layer was varied from 100 to 250 nm. From the bias voltage-dependent photocurrent, built-in voltage of the device was able to be determined. The obtained built-in voltage is about 0.8 V irrespective of the $Alq_3$ layer thickness in the device. This value of built-in voltage confirms that the built-in voltage is generated due to a difference of work function of the anode and cathode. The $Alq_3$ layer thickness independent built-in voltage indicates that the built-in electric field in the device is uniform across the organic layer.


  • 주제어

    Built-in voltage .   Organic light-emitting diodes .   Modulated photocurrent.  

  • 참고문헌 (8)

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