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증착 온도가 RF 반응성 마그네트론 스퍼터링법으로 성장된 InN 박막의 특성에 미치는 영향
Effects of Deposition Temperature on the Properties of InN Thin Films Grown by Radio-frequency Reactive Magnetron Sputtering

조신호    (신라대학교 전자재료공학과  );
  • 초록

    Indium nitride thin films were deposited by the radio-frequency reactive magnetron sputtering method. The indium target was sputtered by the mixture flow ratio of $N_2$ to Ar, 9:1. The effects of growth temperature on the structural, optical, and electrical properties of the films were investigated. With increasing the growth temperature, the crystallinity of the films was improved, and the crystalline size was increased. The energy bandgap for the film grown at $25^{\circ}C$ was 3.63 eV, and the bandgap showed an increasing tendency on the growth temperature. The carrier concentration, Hall mobility and electrical resistivity of the films depended significantly on the growth temperature and the maximum Hall mobility of $32.3\;cm^2$ /Vsec was observed for the film grown at $400^{\circ}C$ .


  • 주제어

    InN .   Thin film .   Rf reactive magnetron sputtering .   Transmittance .   Bandgap.  

  • 참고문헌 (15)

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    13. F. Yakuphanoglu, M. Sekerci, and O. F. Ozturk, “The determination of the optical constants of Cu(II) compound having 1-chloro-2,3-0-cyclohexylidinepropane thin film”, Opt. Comm., Vol. 239, p. 275, 2004. 
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    8. 2009 "Effects of Growth Temperature on the Properties of ZnO Thin Films Grown by Radio-frequency Magnetron Sputtering" Transactions on electrical and electronic materials 10 (6): 185~188    
    9. 2009 "라디오파 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 AZO 박막의 특성에 대한 급속 열처리 효과" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 18 (5): 377~383    
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