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AlN 기판을 이용한 RF 고전력 증폭기 모듈
RF High Power Amplifier Module using AlN Substrate

김승용    (한국산업기술대학교 지식기반기술 에너지대학원 정보통신학과   ); 남충모    (한국산업기술대학교 전자공학과  );
  • 초록

    In this paper, a high power RF amplifier module using AlN substrate of high thermal conductivity has been proposed. This RF amplifier module has the advantage of compact size and effective heat dissipation for the packaging of high power chip. To fabricate the thru-hole and scribing line on AlN substrate, the key parameters of $CO_2$ laser were experimented. And then, microstrip lines and spiral planar inductors were fabricated on an AlN substrate using the thin-film process. The fabricated microstrip lines on the AlN substrate has an attenuation value of 0.1 dB/mm up to 10 GHz. The fabricated spiral planar inductor has a high quality factor, a maximum of about 62 at 1 GHz for a 5.65 nH inductor. Packaging of a RF power amplifier was implemented on an AlN substrate with thru-hole. From the measured results, the gain is 24 dB from 13 to 15 GHz and the output power is 33.65 dBm(2.3 W).


  • 주제어

    AlN substrate .   $CO_2$ laser .   Microstrip line .   Spiral planar inductor .   Packaging.  

  • 참고문헌 (3)

    1. R. E. Simons, "Thermal management of electronic packages", Solid State Tech., Vol. 26, No. 10, p. 131, 1983. 
    2. 김원준, 김도경, 김종희, “AlN 세라믹스의 열전도도”, 한국세라믹학회, 9권, 6호, p. 621, 1994. 
    3. 김기준, 이종선, 성기천, 양재웅, 이후설, “레이저 원리 및 활용”, 대영사, 1997. 

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