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라만 분석을 통한 비정질 실리콘 박막의 고온 고상 결정화 거동
Behavior of Solid Phase Crystallization of Amorphous Silicon Films at High Temperatures according to Raman Spectroscopy

홍원의    (홍익대학교 공과대학 신소재 공학과   ); 노재상    (홍익대학교 공과대학 신소재 공학과  );
  • 초록

    Solid phase crystallization (SPC) is a simple method in producing a polycrystalline phase by annealing amorphous silicon (a-Si) in a furnace environment. Main motivation of the crystallization technique is to fabricate low temperature polycrystalline silicon thin film transistors (LTPS-TFTs) on a thermally susceptible glass substrate. Studies on SPC have been naturally focused to the low temperature regime. Recently, fabrication of polycrystalline silicon (poly-Si) TFT circuits from a high temperature polycrystalline silicon process on steel foil substrates was reported. Solid phase crystallization of a-Si films proceeds by nucleation and growth. After nucleation polycrystalline phase is propagated via twin mediated growth mechanism. Elliptically shaped grains, therefore, contain intra-granular defects such as micro-twins. Both the intra-granular and the inter-granular defects reflect the crystallinity of SPC poly-Si. Crystallinity and SPC kinetics of high temperatures were compared to those of low temperatures using Raman analysis newly proposed in this study.


  • 주제어

    SPC .   poly-Si .   TFT .   Raman spectroscopy.  

  • 참고문헌 (14)

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