본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.19 no.2, 2010년, pp.134 - 140   피인용횟수: 2
본 등재정보는 저널의 등재정보를 참고하여 보여주는 베타서비스로 정확한 논문의 등재여부는 등재기관에 확인하시기 바랍니다.

In0.5(Ga1-xAlx)0.5P/GaAs 이중 이종접합 구조의 Contactless Electroreflectance에 관한 연구
Contactless Electroreflectance Spectroscopy of In0.5(Ga1-xAlx)0.5P/GaAs Double Heterostructures

김정화    (영남대학교 물리학과   ); 조현준    (영남대학교 물리학과   ); 배인호    (영남대학교 물리학과  );
  • 초록

    Metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD)법으로 성장된 $In_{0.5}(Ga_{1-x}Al_x)_{0.5}P$ /GaAs 이중 이종접합 구조의 특성을 contactless electroreflectance (CER) 분광법으로 조사하였다. CER 측정은 변조전압( $V_{ac}$ ), 온도 및 dc 바이어스 전압( $V_{bias}$ )의 함수로 수행하였다. 상온에서는 5개의 신호가 관측되었는데, 이 신호들은 각각 GaAs, $In_{0.5}Ga_{0.5}P$ , $In_{0.5}(Ga_{0.73}Al_{0.27})_{0.5}P$ , $In_{0.5}(Ga_{0.5}Al_{0.5})_{0.5}P$ 및 $In_{0.5}(Ga_{0.2}Al_{0.8})_{0.5}P$ 전이에 관련된 것이다. CER 스펙트럼의 온도 의존성으로부터 Varshni 계수 및 평탄인 자를 구하였다. 그리고 인가전압에 따른 신호의 진폭은 순방향 바이어스 전압 인가시 점차로 감소하나, 역방향 바이어스 전압 인가시에는 반대의 경향을 보였다.


    We have investigated the contactless electroreflectance (CER) properties of $In_{0.5}(Ga_{1-x}Al_x)_{0.5}P$ /GaAs double heterostructures grown by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). The CER measurements on the sample were studied as a function of temperature, modulation voltage ( $V_{ac}$ ), and dc bias voltage ( $V_{bias}$ ). Five signals observed at room temperature are related to the GaAs, $In_{0.5}Ga_{0.5}P$ , $In_{0.5}(Ga_{0.73}Al_{0.27})_{0.5}P$ , $In_{0.5}(Ga_{0.5}Al_{0.5})_{0.5}P$ , and $In_{0.5}(Ga_{0.2}Al_{0.8})_{0.5}P$ transitions, respectively. From the temperature dependence of CER spectrum, the Varshni coefficients and broadening parameters were determined and discussed. In addition, we found that the behavior of the CER amplitude for the reverse bias is larger than that of the forward.


  • 주제어

    $In_{0.   5}(Ga_{1-x}Al_x)_{0.   5}P$/GaAs 이중 이종접합 .   평탄인자 .   Varshni 계수.  

  • 참고문헌 (20)

    1. E. Kapon, semiconductor Laser (Academic Press, London, 1999), pp. 4-8. 
    2. K. F. Hyang, K. Tai, S. N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 54, 2026 (1989). 
    3. J. M. Wrobel, U. K. Reddy, L. C. Bassett, J. L. Aubel, and S. Sundaram, J. Appl. Phys. 60, 368 (1986). 
    4. D. P. Aspnes, Phys. Rev. B, 10, 4228 (1974). 
    5. R. Kudrawiec, M. Motyka, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, J. A. Gupta, and G. C. Aers, Solid State Communications 138, 365 (2006). 
    6. J. S. Blackemore, J. Appl. Phys. 53, R123 (1982). 
    7. H. Chui, N. F. Gardner, P. N. Grillot, J. W. Huang, M. R. Krames, and S. A Maranowski, Semiconductors and Semimetals 64, 49 (2000). 
    8. Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967). 
    9. C. P. Kuo, R. M. Fletcher, T. D. Osentowiski, M, C. Lardizable, M. G. Graford, and V. M. Robbins, Appl. Phys. Lett. 57, 2937 (1990). 
    10. J. S. Roberts, G. B scott, and J. P. Gowers, J. Appl. Phys. 52, 4018 (1981). 
    11. Z. Qingke, Z. Xianfu, L. Changjun, and Songhao, Solid-State Electronics 42, 993 (1998). 
    12. R. Kudrawiec, M. Motyka, J. Misiewicz, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, and M. Tłaczała, Microelectronics Journal 40, 370 (2009). 
    13. K. Itaya, H. Sugawara, and G. Hatakoshi, J. Crystal Growth, 138, 768 (1994). 
    14. M. Cardona, Modulation Spectroscopy (Academic Press, New York, 1969), pp. 11. 
    15. O. G Koshelev and V. A. Morozova, Solid-State Electronics 39, 1379 (1996). 
    16. F. H. Pollak and H. Shen, Mater. Sci. Eng. R. 10, xv (1993). 
    17. M. Motyka, R. Kudrawiec, M. Syperek, J. Misiewicz, M. Rudzinski, P. R. Hageman, and P. K. Larsen, Thin Solid Films 515, 4662 (2007). 
    18. Arto V. Nurmikko and P. L. Gunshor, Solid State Commun, 92, 113 (1994). 
    19. 김기홍, 심준형, 배인호, 한국진공학회 18, 208 (2009).     
    20. P. Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 35, 9174 (1987). 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (2)

    1. Kim, Jeong-Hwa ; Kim, In-Soo ; Bae, In-Ho 2010. "Surface Photovoltage Characterization of In0.49Ga0.51P/GaAs Heterostructures" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, 19(5): 353~359     
    2. Jo, Hyun-Jun ; Bae, In-Ho 2012. "Electroreflectance Study of ZnSe in ZnSe/GaAs Heterostructure" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, 21(6): 322~327     

 저자의 다른 논문

  • 김정화 (1)

    1. 2010 "In0.49Ga0.51P/GaAs 이종접합 구조의 표면 광전압 특성" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 19 (5): 353~359    
  • 배인호 (68)

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기