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韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society v.19 no.2, 2010년, pp.148 - 154   피인용횟수: 2
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TCP-CVD법을 활용한 공정변수에 따른 산화막의 제작
Fabrication of Oxidative Thin Film with Process Conditions by Transformer Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

김창조    (인하대학교 전기공학과   ); 최윤    (아텍시스템 연구소   ); 신백균    (인하대학교 전기공학과   ); 박구범    (유한대학 전기과   ); 신현용    (남서울대학교 전자공학과   ); 이붕주    (남서울대학교 전자공학과  );
  • 초록

    본 논문에서는 유기발광다이오드의 보호막 적용을 위하여 TCP-CVD를 이용한 실리콘 산화막 형성에서 산화막의 특성에 영향을 미치는 Power, 가스종류 및 유량, 소스와 기판거리 및 공정온도 등의 공정조건에 따른 증착된 산화막의 특성을 나타내는 증착률, 굴절률을 제어하고자 한다. 그 결과 $SiH_4$ : $O_2$ = 30 30 : 60 [sccm], 70 [mm]의 source와 기판 거리, Bias를 인가하지 않은 조건에서 80 [ $^{\circ}C$ ] 이하의 공정온도를 보였으며 투과율 90% 이상, 높은 증착률 및 굴절률 1.4~1.5인 안정된 $SiO_2$ 산화박막을 제조할 수 있었다.


    We have fabricated $SiO_2$ oxidation thin films by TCP-CVD (transformer coupled plasma chemical vapor deposition) method for passivation layer of OLED (organic light emitting diode). The purpose of this paper is to control and estimate the deposition rate and refracive index characteristics with process parameters. They are power, gas condition, distance of source and substrate and process temperature. The results show that transmittance of thin films is over 90%, rapid deposition rate and stable reflective index from 1.4 to 1.5 at controled process conditions. They are $SiH_4$ : $O_2$ = 30 30 : 60 [sccm] gas condition, 70 [mm] distance of source and substrate, no-biased substrate and under 80 [ $^{\circ}C$ ] process temperature.


  • 주제어

    증착률 .   굴절률.  

  • 참고문헌 (9)

    1. W. Kem and R. Rosl er, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1082 (1977). 
    2. C. H. Lee, D. Striakhilev and A. Nathan, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 991 (2004). 
    3. D. Han, J. D. Lorentzen, J. Weinberg Wolf, L. E. Meneil, and Q. Wang, J. Appl. Phys. 94, 2930 (2003). 
    4. C. Martinet and R. A. B. Devine, Appl. Phys. 60, 1 Nov. (1986). 
    5. 윤석규, 강문상, 김재영, 구용서, 안철, 대한전자공학회 추계학술대회 (1996). 
    6. 이준희, 김인교, 염근영, 한국진공학회 2007년도 하계학술대회 pp.92 (2007). 
    7. 류성원, 이병로, 김화민, 한국진공학회 17, 9 (2008).     
    8. W. Kem and G. L. Schnable, IEEE Trans, Electron Devices ED-26, 647 (1979). 
    9. J. Y. Kim, Journal of Korean Vacuum Science & Technology 7, 39-44 (2003).     
  • 이 논문을 인용한 문헌 (2)

    1. Kim, H.S. ; Lee, B.J. ; Shin, P.K. 2012. "Floating Gate Organic Memory Device with Tunneling Layer's Thickness" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, 21(6): 354~361     
    2. Kim, Heesung ; Lee, Boongjoo ; Lee, Sunwoo ; Shin, Paikkyun 2013. "Floating Gate Organic Memory Device with Plasma Polymerized Styrene Thin Film as the Memory Layer" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, 22(3): 131~137     

 저자의 다른 논문

  • 김창조 (3)

    1. 2010 "Si3N4 박막의 유기발광소자 수분침투 방지막으로의 응용" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 23 (5): 397~402    
    2. 2010 "TCP-CVD 장비를 활용한 광도파로용 Core-SiO2 증착" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 19 (3): 230~235    
    3. 2010 "반응성 스퍼터링으로 제작된 SixOy-SixNy 적층구조의 반사방지 코팅 응용" 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society 19 (5): 341~346    
  • 최윤 (0)

  • Shin, Paik-Kyun (28)

  • Park, Gu-Bum (9)

  • 신현용 (16)

  • 이붕주 (32)

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