본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.20 no.6, 2010년, pp.338 - 343  
본 등재정보는 저널의 등재정보를 참고하여 보여주는 베타서비스로 정확한 논문의 등재여부는 등재기관에 확인하시기 바랍니다.

NiSi 접촉과 Cu 플러그/Ti 확산방지층의 동시 형성 연구
Simultaneous Formation of NiSi Contact and Cu Plug/Ti Barrier

배규식    (수원대학교 전자재료공학과  );
  • 초록

    As an alternative to the W plug used in MOSFETs, a Cu plug with a NiSi contact using Ta / TaN as a diffusion barrier is currently being considered. Conventionally, Ni was first deposited and then NiSi was formed, followed by the barrier and Cu deposition. In this study, Ti was employed as a barrier material and simultaneous formation of the NiSi contact and Cu plug / Ti barrier was attempted. Cu(100 nm) / Ti / Ni(20 nm) with varying Ti thicknesses were deposited on a Si substrate and annealed at $4000^{\circ}C$ for 30 min. For comparison, Cu/Ti/NiSi thin films were also formed by the conventional method. Optical Microscopy (OM), Scanning Probe Microscopy (SPM), X-Ray Diffractometry (XRD), and Auger Electron Microscopy (AES) analysis were performed to characterize the inter-diffusion properties. For a Ti interlayer thicker than 50 nm, the NiSi formation was incomplete, although Cu diffusion was inhibited by the Ti barrier. For a Ti thickness of 20 nm and less, an almost stoichiometric NiSi contact along with the Cu plug and Ti barrier layers was formed. The results were comparable to that formed by the conventional method and showed that this alternative process has potential as a formation process for the Cu plug/Ti barrier/NiSi contact system.


  • 주제어

    Cu contact .   NiSi .   Ti Diffusion barrier .   Ti thickness .   interdiffusion.  

  • 참고문헌 (18)

    1. C. -C. Wang, H. -H. Lin and M. -C. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., 43, 5997 (2004). 
    2. J. -J. You and K. -S. Bae, Kor. J. Mater. Res., 17(9), 463(2007) (in Korean).     
    3. C. Zhao, Zs. Tokei, A. Haider and S. Demuynck,Microelectron. Eng., 84, 2669 (2007). 
    4. C. Zhao, J. Y. Ahn, N. Horiguchi, S. Demuynck and Zs.Tokei, Microelectron. Eng., 85, 2009 (2008). 
    5. M. Zhou, Y. Zhao, W. Huang, B. -M. Wang, G. -P. Ru,Y. -L. Jiang, R. Liu and X. -P. Qu, Microelectron. Eng.,85, 2028 (2008). 
    6. J. -H. Lin, J. -H. Lee, C. -S. Hsu and J. -S. Fang, J. Electron. Mater., 38(11), 2251 (2009). 
    7. A. Lauwers, J. A. Kittl, M. J. H. Van Dal, O. Chamirian,M. A. Pawlak, M. de Potter, R. Lindsay, T. Raymakers,X. Pages, B. Mebarki, T. Mandrekar and K. Maes, Mater. Sci. Eng. B, 114-115, 29 (2004). 
    8. K. Yoon and O. Song, Kor. J. Mater. Res., 18(1), 5(2008) (in Korean).     
    9. H. Iwai, T. Ohguro and S. -I. Ohmi, Microelectron. Eng.,60, 157 (2002). 
    10. W. L. Yang, W. -F. Fa, H. C. You, K. -L. Ou, T. F. Leiand C. -P. Chou, IEEE T. Electron. Dev, ED-49(11),1947 (2002). 
    11. F. Braud, J. Torres, J. Palleau, J. L. Mermet and M. J.Mouche, Appl. Surf. Sci., 91, 251 (1995). 
    12. M. Spindler, S. B. Menzel, C. Eggs, J. Thomas, T.Gemming and J. Eckert, Microelectron. Eng., 85, 2055(2008). 
    13. S. Lee and J. Lee, Kor. J. Mater. Res., 14(4), 246 (2004)(in Korean).     
    14. D. Z. Chi, D. Mangelinck, A. Z. Zuruzi, A. S. W. Wongand S. K. Lahiri, J. Electron. Mater., 30(12), 1483 (2001). 
    15. Y. Setiawan, P. S. Lee, C. W. Tan and K. L. Pey, Thin Solid Films, 504, 153 (2006). 
    16. K. -M. Yin, L. Chang, F. -R. Chen, J. -J. Kai, C. -C.Chiang, P. Ding, B. Chin, H. Zhang and F. Chen, Thin Solid Films, 388, 15 (2001). 
    17. N. Mattoso, J. Mater. Sci., 30, 3242 (1995). 
    18. W. Gao, H. Gong, J. He, A. Thomas, L. Chan and S. Li,Mater. Lett., 51, 78 (2001). 

 저자의 다른 논문

  • 배규식 (33)

    1. 1994 "Co/Ti이중박막을 이용한 $CoSi_2$에피박막형성에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 4 (1): 81~89    
    2. 1995 "코발트/내열금속 이중박막을 이용한 $CoSi_{2}$ 에피박막형성에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 5 (3): 324~332    
    3. 1996 "$(Pb_{1-(x+y)}Ca_xM_y)ZrO_3(M=Mg, Sr)$계의 고주파 유전특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (11): 1121~1126    
    4. 1996 "CuO의 첨가가 $BiNbO_4$ 세라믹스의 마이크로파 유전특성에 미치는 영향" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (12): 1186~1191    
    5. 1997 "Co 두께가 $CoSi_2$ 에피박막 형성에 미치는 영향" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d34 (1): 23~29    
    6. 1997 "$\textrm{Bi}_{1-x}\textrm{Nd}_{x}\textrm{NbO}_{4}$ 세라믹스의 마리크로파 유전특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 7 (9): 723~727    
    7. 1998 "$CoSi_{2}$ 에피박막을 확산원으로 이용하여 형성한 매우 얇은 접합의 전기적 특성" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 8 (5): 470~473    
    8. 1998 "코발트 폴리사이드 게이트전극 형성에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 8 (6): 499~504    
    9. 1999 "코발트 폴리사이드 게이트의 전기적 특성에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 9 (11): 1117~1122    
    10. 1999 "Sn-3.5Ag/Alloy42 리드프레임 땜납접합의 미세조직과 접합특성에 관한 연구" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 9 (9): 926~931    

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기