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Journal of magnetics v.15 no.2, 2010년, pp.51 - 55   SCIE
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Electronic Structure and Magnetic Moments of Copper-atom in/on GaN Semiconductor

Kang, Byung-Sub    (BK 21 Physics program and Department of Physics, Chungbuk National University   ); Lee, Haeng-Ki    (Department of Radiotechnology, Daegu Polytechnic College  );
  • 초록

    The electronic and magnetic properties of Cu-doped GaN with a Cu concentration of 6.25% and 12.5% are examined theoretically using the full-potential linear muffin-tin orbital method. The magnetic moment of Cu atoms decreases with increasing Cu concentration. The spin-polarization of Cu atoms is reduced due to the Cu d-d interaction depending on the distance between the nearest neighbouring Cu atoms. Cu atoms exhibits a clustering tendency in GaN. For Cu-adsorbed GaN thin films with a surface coverage of 0.25, the ferromagnetic state is found to be the energetically favourable state with an induced magnetic moment of $0.54\;{\mu}_B$ per supercell.


  • 주제어

    nonmagnetic dopant .   ferromagnetic ordering .   thin film.  

  • 참고문헌 (27)

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