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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.23 no.6, 2010년, pp.436 - 439  
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4H-SiC DMOSFETs의 계면 전하 밀도에 따른 스위칭 특성 분석
Effect of Interface Charges on the Transient Characteristics of 4H-SiC DMOSFETs

강민석    (광운대학교 전자재료공학과   ); 문경숙    (경원대학교 수학정보학과   ); 구상모    (광운대학교 전자재료공학과  );
  • 초록

    SiC power device possesses attractive features, such as high breakdown voltage, high-speed switching capability, and high temperature operation. In general, device design has a significant effect on the switching characteristics. In this work, we report the effect of the interface states ( $Q_f$ ) on the transient characteristics of SiC DMOSFETs. The key design parameters for SiC DMOSFETs have been optimized by using a physics-based two-dimensional (2-D) mixed device and circuit simulator by Silvaco Inc. When the $SiO_2$ /SiC interface charge decreases, power losses and switching time also decrease, primarily due to the lowered channel mobilities. High density interface states can result in increased carrier trapping, or more recombination centers or scattering sites. Therefore, the quality of $SiO_2$ /SiC interfaces has a important effect on both the static and transient properties of SiC MOSFET devices.


  • 주제어

    Silicon carbide .   Transient .   Interface charge .   DMOSFET.  

  • 참고문헌 (5)

    1. T. Tamaki, G. G. Walden, Y. Sui, and J. A. Cooper,IEEE Trans. Eelctron. Devices 55, 1920 (2008). 
    2. S.-H. Ryu, A. Agarwal, J. Richmond, J. Palmour, N. Saks, and J. Williams, IEEE Eelctron. Device Lett.23, 321 (2002). 
    3. A. Saha and J. A. Cooper, IEEE Trans. Eelctron. Devices 54, 2786 (2007). 
    4. K. Matocha, Solid-State Electron. 52, 1631 (2008). 
    5. S. Inaba, IEEE Trans. Eelctron. Devices 41, 2399(1994). 

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