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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers v.23 no.6, 2010년, pp.487 - 490  
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In-situ 도핑량이 다공성 3C-SiC 박막의 특성에 미치는 영향
Effects of In-situ doping Concentration on the Characteristics of Porous 3C-SiC Thin Films

김강산    (울산대학교 전기전자정보시스템공학부   ); 정귀상    (울산대학교 전기전자정보시스템공학부  );
  • 초록

    This paper describes the elecrtical and optical characteristics of $N_2$ doped porous 3C-SiC films. Polycrystalline 3C-SiC thin films are anodized by $HF+C_2H_5OH$ solution with UV-LED exposure. The growth of in-situ doped 3C-SiC thin films on p-type Si (100) wafers is carried out by using APCVD (atmospheric pressure chemical vapor deposition) with a single-precursor of HMDS (hexamethyildisilane: $Si_2(CH_3)_6)$ . 0 ~ 40 sccm $N_2$ was used for doping. After the growth of doped 3C-SiC, porous 3C-SiC is formed by anodization with $7.1\;mA/cm^2$ current density for anodization time of 60 sec. The average pore diameter is about 30 nm, and etched area is increased with $N_2$ doping rate. These results are attributed to the decrease of crystallinity by $N_2$ doping. Mobility is dramatically decreased in porous 3C-SiC. The band gaps of polycrystalline 3C-SiC films and doped porous 3C-SiC are 2.5 eV and 2.7 eV, respectively.


  • 주제어

    Porous 3C-SiC .   Anodization .   In-situ doping .   Electrical .   Optical.  

  • 참고문헌 (10)

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