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Transactions on electrical and electronic materials v.11 no.3, 2010년, pp.145 - 148  
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Improvement in the Stabilities of White Organic Light Emitting Diodes Using a Partially Doped Emission Layer

Jeon, Hyeon-Sung    (Department of Electronic Engineering, Konkuk University   ); Oh, Hwan-Sool    (Department of Electronic Engineering, Konkuk University   ); Yoon, Seok-Beom    (Optical Applied Science, Kongju National University  );
  • 초록

    White organic light emitting devices were fabricated to improve the stability through a structural change using the two peak emission method. The fabricated devices were composed of indium tin oxide (100 nm)/ $\alpha$ -NPD (30 nm)/4,40-bis(2,20-diphenylvinyl)-1,10-biphenyl (DPVBi, d: variable)/DPVBi: Rubrene (40 nm)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(5 nm)/ $Alq_3$ (5 nm)/ Al (100 nm). A DPVBi for blue emissions was used as the host material in the emitters. The doping concentration of the Rubrene was fixed at 2.0% (by weight). The white emission with Commission Internationale De L'Eclairage coordinates of (0.3342, 0.3439) occurred at 14 V with a thickness d of 1 nm. It was insensitive to the drive voltage, and the devices had a maximum luminance of $211\;cd/cm^2$ . At 19 V, the current density and maximum external quantum efficiency were $173\;mAcm^2$ and 0.478%, respectively.


  • 주제어

    White organic light emitting device .   DPVBi .   Rubrene.  

  • 이미지/표/수식 (8)

    • Device structure thicknesses.
    • The energy-band diagram of the fabricated devices.
    • The normalized electro-luminescence (EL) spectra of devices at various distances (<italic>d</italic>).
    • (a) The normalized electro-luminescence (EL) spectra of deviceI, (b) The Commission Internationale De L Eclairage coordinatesof device I.
    • (a) The normalized electro-luminescence (EL) spectra of deviceII, (b) The Commission Internationale De L Eclairage coordinatesof device II
    • The Commission Internationale De L Eclairage coordinates ofdevice I (d = 0 nm) and device II (d = 100 nm).
    • The current density-voltage-light intensity characteristics ofdevice I.
    • The current density-voltage-light intensity characteristics of device II.

    논문관련 이미지

  • 참고문헌 (13)

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 저자의 다른 논문

  • 전현성 (3)

    1. 1998 "Deep Submicron급 CMOS 디바이스에서 Triple Well 형성과 래치업 면역 향상에 관한 연구" 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D d35 (9): 54~61    
    2. 2006 "신규 합성한 청색발광재료 nitro-DPVT를 사용한 백색 유기발광다이오드의 형광색소 도핑농도 및 NPB 층의 두께 변화에 따른 특성 분석" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers 19 (4): 379~385    
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