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P형 우물 영역의 도핑 농도와 면적에 따른 4H-SiC 기반 DMOSFET 소자 구조의 최적화
Optimization of 4H-SiC DMOSFETs by Adjustment of the Dimensions and Level of the p-base Region

안정준    (광운대학교 전자재료공학과   ); 방욱    (한국전기연구원 에너지반도체연구센터   ); 김상철    (한국전기연구원 에너지반도체연구센터   ); 김남균    (한국전기연구원 에너지반도체연구센터   ); 정홍배    (광운대학교 전자재료공학과   ); 구상모    (광운대학교 전자재료공학과  );
  • 초록

    In this work, a study is presented of the static characteristics of 4H-SiC DMOSFETs obtained by adjustment of the p-base region. The structure of this MOSFET was designed by the use of a device simulator (ATLAS, Silvaco.). The static characteristics of SiC DMOSFETs such as the blocking voltages, threshold voltages, on-resistances, and figures of merit were obtained as a function of variations in p-base doping concentration from $1\;{\times}\;10^{17}\;cm^{-3}$ to $5\;{\times}\;10^{17}\;cm^{-3}$ and doping depth from $0.5\;{\mu}m$ to $1.0\;{\mu}m$ . It was found that the doping concentration and the depth of P-base region have a close relation with the blocking and threshold voltages. For that reason, silicon carbide DMOSFET structures with highly intensified blocking voltages with good figures of merit can be achieved by adjustment of the p-base depth and doping concentration.


  • 주제어

    SiC .   DMOSFETs .   P-base .   Simulation.  

  • 참고문헌 (5)

    1. A. Saha and J. A. Cooper, IEEE Trans. Electron Devices 54, 2786 (2007). 
    2. M. Martin, A. Saha, and J. A. Cooper, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1721 (2004). 
    3. M. Abe, H. Nagasawa, P. Ericsson, H. Stromberg, M. Bakowski, and A. Schoner, Microelectronic Engineering 24-26, 83 (2006). 
    4. H. Ye, C. W. Lee, J. Raynolds, P. Haldar, M. J. Hennessy, and E. K. Mueller, Cryogenics 243?251, 47 (2007). 
    5. ATLAS User’s Manual, Silvaco International, 1-898 (2007). 

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