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Two-step Electroless Plated Pt Ohmic Contacts to p-type InGaAs

Im, Hung-Su    (School of Nano Advanced Materials Engineering, Changwon National University   ); Wang, Kai    (School of Nano Advanced Materials Engineering, Changwon National University   ); Kim, Geun-Woo    (School of Nano Advanced Materials Engineering, Changwon National University   ); Chang, Ji-Ho    (Major of Semiconductor Physics, Korea Maritime University   ); Koo, Bon-Heun    (School of Nano Advanced Materials Engineering, Changwon National University  );
  • 초록

    This work discusses a two-step electroless plating method for preparing a Pt thin film on p-type InGaAs substrate, which is defined as Pt I and Pt II. A thin Pt catalytic layer formed in Pt I bath on the substrate at $65^{\circ}C$ . In the following Pt II bath, thick Pt films then easily grew on the sensitized layer on InGaAs previously formed in the Pt I bath. The growth of Pt film is strongly influenced by the plating temperature and pH value. To study the plating time effect, the plating of Pt II bath is 5 to 40 min at $80^{\circ}C$ after using Pt I bath at 50~ $65^{\circ}C$ for 5min of pH 8~13. Pt film for ohmic contact to p-type InGaAs was successfully prepared by using the two-step Pt electroless plating.


  • 주제어

    Pt film .   p-type InGaAs .   CTLM .   Ohmic contact .   Two-step electroless plating.  

  • 참고문헌 (11)

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