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Threshold Voltage Dependence on Bias for FinFET using Analytical Potential Model

Jung, Hak-Kee    (Department of Electronic Eng., Kunsan National University  );
  • 초록

    This paper has presented the dependence of the threshold voltage on back gate bias and drain voltage for FinFET. The FinFET has three gates such as the front gate, side and back gate. Threshold voltage is defined as the front gate bias when drain current is 1 micro ampere as the onset of the turn-on condition. In this paper threshold voltage is investigated into the analytical potential model derived from three dimensional Poisson's equation with the variation of the back gate bias and drain voltage. The threshold voltage of a transistor is one of the key parameters in the design of CMOS circuits. The threshold voltage, which described the degree of short channel effects, has been extensively investigated. As known from the down scaling rules, the threshold voltage has been presented in the case that drain voltage is the 1.0V above, which is set as the maximum supply voltage, and the drain induced barrier lowing(DIBL), drain bias dependent threshold voltage, is obtained using this model.


  • 주제어

    FinFET(fin field effect transistor) .   threshold voltage .   3D Poisson's equation .   short channel effect .   DIBL.  

  • 참고문헌 (9)

    1. The International Technology Roadmap for Semiconduetor(2001), http://public.itrs.net. 
    2. H.C.Poon, L.D.Yau, R.L.Johnston and D.Beecham, "DC model for short-channel IGFETs," in IEDM Tech. Dig., pp. 156-159, 1974. 
    3. G.Kalti, N.DasGupta and A. DasGupta, "Threshold voltage model for mesa-isolated small geometry fully depleted SOI MOSFETs based on analytical solution of 3-D poisson's equation," IEEE Trans. Electron Devices vol. ED-51, pp. 1169-1177, Jul. 2004. 
    4. K.O.Jeppson, "Influence of the channel width on the threshold voltage modulation of MOSFETs," Electron Lett., vol. 11, pp.297-299, 1975. 
    5. B.Agrawal, V.K.De and J.D.Meindl, ''Three dimensional analytical subthreshold models for bulk MOSFETs," IEEE Trans. Electron Devices, vol.42, pp.2170-2180, Dec. 1995. 
    6. G.Katti, "Analytical threshold voltage and subthreshold current modeling of non-uniformly doped silicon-on-insulator(SOI) MOSFETs," M.S. thesis, IIT, Madras, India, July 2002. 
    7. TCAD manual, synopsys, 2006. 
    8. D.S.Havaldar, G.Katti, N.DasGupta and A. DasGupta, "Subthreshold current model of FinFETs based on analytical solution of 3-D poisson's equation," IEEE Trans. Electron Devices vol. ED-53, pp. 737-741, April 2006. 
    9. L.D.Yau, "A simple theory to predict the threshold voltage of short channel IGFETs," Solid State Electron., vol.17, pp.1059-1063, 1974. 

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