본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

새로운 파라미터 추출 방법을 사용한 Multi-Finger RF MOSFET의 기판 모델 정확도 비교
Accuracy Analysis of Substrate Model for Multi-Finger RF MOSFETs Using a New Parameter Extraction Method

최민권    (한국외국어대학교 전자공학과   ); 김주영    (한국외국어대학교 전자공학과   ); 이성현    (한국외국어대학교 전자공학과  );
  • 초록

    본 연구에서는 common source-bulk와 common source-gate 테스트 구조에서 측정된 S-파라미터를 사용하여 multi-finger RF MOSFET의 기판 파라미터들을 정확하게 추출하였다. 이 추출 방법을 바탕으로 세 개의 기판저항을 사용한 비대칭 RF 모델이 하나의 기판저항을 사용한 단순 모델보다 측정된 Y-파라미터 데이터와 더 잘 일치하는 것을 관찰하였으며, 이는 비대칭 기판 모델의 정확도를 증명한다. 또한 비대칭 RF 모델의 시뮬레이션 S-파라미터가 측정 데이터와 20GHz까지 잘 일치하는 것을 확인하였다.


    In this study, multi-finger RF MOSFET substrate parameters are accurately extracted by using S-parameters measured from common source-bulk and common source-gate test structures. Using this extraction method, the accuracy of an asymmetrical model with three substrate resistances is verified by observing better agreement with measured Y-parameters than a simple model with a single substrate resistance. The modeled S-parameters of the asymmetrical model also show excellent agreement with measured ones up to 20GHz.


  • 주제어

    RF CMOS .   MOSFET .   multi-finger .   substrate model .   substrate resistance .   parameter extraction.  

  • 참고문헌 (12)

    1. S. Lee, "Accurate RF extraction method for resistances and inductances of sub-$0.1{\mu}m$ CMOS transistors", Electronics Letters, Vol. 41, No. 24, pp. 1325-1327, 2005. 
    2. 차지용, 차준영, 이성현, "RF MOSFET 성능의 최적화를 위한 Unit Finger Gate 폭에 대한 fT 및 fmax 종속성 분석, 전자공학회 논문지 제 45권 SD편 제 9호, pp.861-866, 2008. 
    3. BSIM3v3 Manual, Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of california, Berkeley, 1995. 
    4. S. Lee, C. S. Kim, and H. K. Yu, "A small-signal RF model and its parameter extraction for substrate effects in RF MOSFETs," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, pp. 1374-1379, July 2001. 
    5. 이용택, 최문성, 구자남, 이성현, "Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출," 전자공학회 논문지 제 41권 SD편 제 12호, pp. 27-34, 2004. 
    6. S. Lee, "A direct method to extract RF MOSFET model parameters using common source-gate and source drain configurations", Microwave and Optical Technology Letters, Vol. 50, No. 4, pp. 915-917, April 2008. 
    7. S. Lee and H. K. Yu, "A semianalytical parameter extraction of a SPICE BSIM3v3 for RF MOSFET's using S-parameters," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 48, pp. 412-416, March 2000. 
    8. S. Lee, C. S. Kim, and H. K. Yu, "Improved BSIM3v3 model for RF MOSFET IC simulation" Electronics Letters, vol. 36, no. 21, pp. 1818-1819, Oct. 2000. 
    9. C. C. Enz and Y. Cheng, "MOS transistor modeling for RF IC design," IEEE Trans. Solid-State Circuits, vol. 35, no. 2, Feb. 2000. 
    10. BSIM4 Manual, Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, 2001. 
    11. U. Mahalingam, S.C. Rustagi and G.S. Samudra, "Direct extraction of substrate network parameters for RF MOSFET modeling using a simple test structure", IEEE Electron Device Letters, vol. 27, no. 2, pp. 130-132, Feb. 2006. 
    12. J. Cha, J. Cha, and S. Lee, "Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements," IEEE Trans. Electron Device, Vol. 55, pp. 2195-2201, 2008. 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. Lee, Hyun-Jun ; Lee, Seonghearn 2012. "Scaling Accuracy Analysis of Substrate SPICE Model for RF MOSFETs" Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea = 전자공학회논문지, 49(12): 173~178     

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기