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공핍 모드 InGaZnO 박막 트랜지스터를 이용한 저소비전력 스캔 구동 회로
Low Power Consumption Scan Driver Using Depletion-Mode InGaZnO Thin-Film Transistors

이진우    (한양대학교 전자통신컴퓨터공학부   ); 권오경    (한양대학교 전자통신컴퓨터공학부  );
  • 초록

    본 논문에서 공핍 모드 n-채널 InGaZnO 박막트랜지스터를 이용하여 소비전력이 낮은 스캔 구동 회로를 제안한다. 제안된 스캔 구동 회로는 단 2개의 클록 신호만을 사용하고 추가적인 마스킹 신호나 회로가 필요 없이 이웃하는 스캔 출력 간에 겹쳐짐이 없는 스캔 출력 신호를 만들어 낸다. 클록 신호를 줄임과 동시에 단락 전류를 줄임으로써 소비전력을 줄일 수 있었다. 모의 실험 결과 트랜지스터 문턱전압의 편차 범위가 -3.0 ~ 1.0V일 때에도 스캔 출력 신호가 정상적으로 출력됨을 확인하였다. XGA의 해상도를 갖는 디스플레이를 대상으로 양과 음의 전원 전압이 각각 15V, -5V이고 동작 주파수가 46KHz일 때, 스캔구동 회로의 소비전력이 4.89mW이다.


    A low power consumption scan driver using depletion-mode n-type InGaZnO thin-film transistors is proposed. The proposed circuit uses 2 clock signals and generates the non-overlap output signals without the additional masking signals and circuits. The power consumption of the proposed circuit is decreased by reducing the number of the clock signals and short circuit current. The simulation results show that the proposed circuit operates successfully when the threshold voltage of TFT is varied from -3.0V to 1.0V. The proposed scan driver consumes 4.89mW when the positive and negative supply voltage is 15V and -5V, respectively, and the operating frequency is 46KHz on the XGA resolution panel.


  • 주제어

    shift register .   depletion mode .   InGaZnO .   scan driver .   low power.  

  • 참고문헌 (17)

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    3. 1995 "진공 증발법에 의해 제조된 플립 칩 본딩용 솔더의 미세 구조분석" 한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering 28 (2): 67~76    
    4. 1995 "실리콘 에피층 성장과 실리콘 에칭기술을 이용한 Bare Chip Burn-In 테스트용 인터컨넥션 시스템의 제조공정" 한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering 28 (3): 174~181    
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    6. 1996 "NMOSFET에서 LDD 영역의 전자 이동도 해석" 電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A a33 (10): 123~129    
    7. 1996 "강유전체의 하부전극용 Pt/Ti 박막의 필 접착력에 미치는 열처리의 영향" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research 6 (6): 610~617    
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