본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

GaN Doherty 증폭기의 메모리 효과 보상을 통한 성능개선
The Improvement of GaN Doherty Amplifier with Memory Effect Compensation

이석희    (단국대학교   ); 조갑제    (단국대학교   ); 방성일    (단국대학교  );
  • 초록

    전력증폭기는 기지국의 효율을 결정하는 중요한 요소이며, 효율성 제고를 위하여 GaN증폭소자를 사용한 Doherty 전력증폭기 구조에 대한 연구가 지속되고 있다. Doherty 전력증폭기의 메모리 효과는 선형성과 효율특성과 연관된 동작특성에 큰 영향을 미친다. 본 논문에서는 GaN Doherty 전력증폭기의 전열적인 비선형성 모델링과 전열적 메모리 효과가 GaN Doherty 증폭기의 왜곡형성과 보상에 대하여 연구하였다. GaN Doherty 증폭기의 전열적 메모리 특성을 모델링하기 위하여 순시적으로 소모되는 전력과 순시 접합온도의 정확한 관계식을 정립하였다. 제안된 모델의 파라미터로부터 GaN Doherty 전력증폭기의 비선형왜곡과 전열적 메모리 효과를 보상할 수 있는 전치왜곡선형화기 모델을 설계하였다. 제안된 모델의 성능평가는 37dBm GaN Doherty 전력증폭기와 ADS Tool을 사용하여 왜곡특성 성능개선정도를 검증하였다. 선형화된 GaN 전력증폭기의 2-tone 출력스펙트럼에서 약 16 dB의 왜곡개선효과를 보였다.


    A power amplifier is one of important factors for basestation's efficiency and the researches for efficency enhancement focus Doherty amplifier structure with GaN power devices in these days. A memory effect of Doherty amplifier affect operation characteristics for linearity and efficiency. This paper reports on electrothermal nonlinearity modeling and compensation for GaN Doherty amplifier's distortion. Also this paper reports on the dynamic expression of the instantaneous junction temperature as a function of the instantaneous dissipated power. We design distortion model for GaN Doherty amplifier and predistortion compensator for electrothermal memory effect from the proposed behavior model parameters. The simulations was evaluated by ADS Tools and GaN Doherty amplifier with 37dBm. The GaN Doherty amplifier with compensator enhanced about 16dB than without electrothemal memory effect compensator in 2-tone output spectrum.


  • 주제어

    Behavior model .   distortion .   memory effect .   GaN .   Doherty amplifier.  

  • 참고문헌 (8)

    1. J.S .Kenny, W. Woo, L. Ding, R. Raich, and T. Zhou "The impact of memory effects on predistortion linearization of RF power amplifier" in 8th Int Microwave and Optical Technology Symp., Montreal, QC, Canada, June 2001, pp.189-193 
    2. S. Boumaiza and F. M. Ghannouchi, "Realistic power-amplifiers characterization with application to baseband digital predistortion for 3G base stations," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol.50, pp.3016-3021, Dec. 2002. 
    3. 손길영, 이석희, 방성일 "효율개선을 위한 Gate 제어 Hybrid Doherty 증폭기 구현," 전자공학회논문지, 제42권 TC편, 제3호, 217-224쪽, 2005년 3월 
    4. J. H. K. Vuolevi, T. Rahkonen, and J. P. A. Manninen, "Measurement technique for characterizing memory effects in RF power amplifiers, " IEEE Trans. Microwave Theory Tech., col. 49, pp. 1383-1389, Aug. 2001. 
    5. W. Bosch and G. Gatti, "Measurement and simulation of memory effects in predistortion linearizers," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 37, pp. 1885-1890, Dec. 1989. 
    6. Y. Youngoo, Y. Jeahyok, N. Joongjin, K. Bumman, and P. Myungkyu, "Measurement of two-tone transfer characteristics of high-power amplifiers," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 49, pp. 568-571, Mar. 2001. 
    7. 고영은, 방성일 "온도보상 기법을 적용한 디지털 방식의 사전 왜곡제거기 알고리듬," 전자공학회논문지, 제42권 TC편, 제9호, 571-580쪽, 2005년 9월 
    8. A. Rabany, L. Nguyen, and D. Rice, "Memory effect reduction for LDMOS bias circuits," Microwave J., pp. 124-130, Feb. 2003. 
  • 이 논문을 인용한 문헌 (1)

    1. Lee, Suk-Hui ; Jang, Hong-Ju 2014. "Design and Implementation of High Efficiency Transceiver Module for Active Phased Arrays System of IMT-Advanced" Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers = 전자공학회논문지, 51(7): 26~36     

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • NDSL :
유료다운로드

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠
이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기