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한국재료학회지 = Korean journal of materials research v.22 no.4, 2012년, pp.190 - 194   SCOPUS
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역 알루미늄 유도 결정화 공정을 이용한 실리콘 태양전지 다결정 시드층 생성
Fabrication of Poly Seed Layer for Silicon Based Photovoltaics by Inversed Aluminum-Induced Crystallization

최승호    (부산대학교 재료공학부   ); 박찬수    (부산대학교 재료공학부   ); 김신호    (부산대학교 재료공학부   ); 김양도    (부산대학교 재료공학부  );
  • 초록

    The formation of high-quality polycrystalline silicon (poly-Si) on relatively low cost substrate has been an important issue in the development of thin film solar cells. Poly-Si seed layers were fabricated by an inverse aluminum-induced crystallization (I-AIC) process and the properties of the resulting layer were characterized. The I-AIC process has an advantage of being able to continue the epitaxial growth without an Al layer removing process. An amorphous Si precursor layer was deposited on Corning glass substrates by RF magnetron sputtering system with Ar plasma. Then, Al thin film was deposited by thermal evaporation. An $SiO_2$ diffusion barrier layer was formed between Si and Al layers to control the surface orientation of seed layer. The crystallinity of the poly-Si seed layer was analyzed by Raman spectroscopy and x-ray diffraction (XRD). The grain size and orientation of the poly-Si seed layer were determined by electron back scattering diffraction (EBSD) method. The prepared poly-Si seed layer showed high volume fraction of crystalline Si and orientation. The diffusion barrier layer and processing temperature significantly affected the grain size and orientation of the poly Si seed layer. The shorter oxidation time and lower processing temperature led to a better orientation of the poly-Si seed layer. This study presents the formation mechanism of a poly seed layer by inverse aluminum-induced crystallization.


  • 주제어

    photovoltaics .   I-AIC .   poly crystalline silicon.  

  • 참고문헌 (16)

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