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MOVPE growth of InP and InGaAsP using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine

Kuramata, Akito ; Yamada, Kohji ; Yamazaki, Susumu ;
  • 초록

    InP and InGaAsP crystals were grown by MOVPE using safe alternative group V sources of tertiarybutylarsine (TBA) and tertiarybutylphosphine (TBP). Study of the electrical and optical properties showed that the crystals were of high quality. The effect of source decomposition on vapor-solid composition relationships was analyzed by comparing experimental and theoretical results. Double hetero-structures and quantum well structures were grown under optimized gas switching conditions. Reducing the growth pressure enabled both n-type and p-type doping.(Author abstract)


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