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ADI-FDTD for the modeling and simulation of VLSI interconnects

Choi, Ik-Joon    (Corresponding author. Fax: +82-32-862-1350   ); Yoon, Suk-In    (Computational Electronics Center, School of Electronics and Electrical Engineering, Inha University, 253 Yonghyun-dong, Nam-gu, Incheon 402-751, South Korea   ); Kim, Jin-Woo    (Computational Electronics Center, School of Electronics and Electrical Engineering, Inha University, 253 Yonghyun-dong, Nam-gu, Incheon 402-751, South Korea   ); Won, Taeyoung    (Computational Electronics Center, School of Electronics and Electrical Engineering, Inha University, 253 Yonghyun-dong, Nam-gu, Incheon 402-751, South Korea  );
  • 초록

    Abstract In this paper, we report the implementation of alternating-direction-implicit (ADI) finite-difference time-domain (FDTD) method for modeling and simulation of VLSI interconnects in order to resolve the limitation of Courant–Friedrich–Levy (CFL) stability condition. It is revealed that the ADI-FDTD simulation approach is promising for understanding the electromagnetic phenomena of the VLSI interconnects. The amount of signal distortion as well as cross-talks between the parallel and cross-over interconnects has been calculated. For instance, signal distortion of 0.3–0.6 V with clock distortion of 0.2–0.4 V are measured for two parallel lines with 1 μm spacing.


  • 주제어

    FDTD .   ADI-FDTD .   Modeling .   Simulation .   Interconnects.  

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