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Optical band gap and optical constants in a-Se80Te20−xPbx thin films

Khan, Shamshad A.    (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India   ); Zulfequar, M.    (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India   ); Husain, M.    (Corresponding author. Tel.: +91 11 26988332  );
  • 초록

    Abstract The optical constants (absorption coefficient, refractive index, extention coefficient, real and imaginary part of dielectric constant) have been studied for a-Se 80 Te 20− x Pb x (where x = 0,2,6,10) thin films as a function of photon energy in the wave length range (500–1000nm). It has been found that the optical band gap increases while the refractive index and the extinction coefficient ( k ) decreases on incorporation of lead in Se–Te system. The value of absorption coefficient ( α ) and the extinction coefficient ( k ) increases, while the value of refractive index ( n ) decreases with incident photon energy. The results are interpreted in terms of the change in concentration of localized states due to the shift in fermi level.


  • 주제어

    Amorphous semiconductor .   Optical constants .   Chalcogenides .   Optical band gap .   Thin films.  

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