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Mesoscopic temporary devices: a multiple tip experiment on a silicon surface

Müller, A.-D.    (Chemnitz University of Technology, Institute of Physics, D-09107 Chemnitz, Germany   ); Müller, F.    (Chemnitz University of Technology, Institute of Physics, D-09107 Chemnitz, Germany   ); Hietschold, M.    (Chemnitz University of Technology, Institute of Physics, D-09107 Chemnitz, Germany   ); Gessner, Th.    (Chemnitz University of Technology, Center of Microtechnology, D-09107 Chemnitz, Germany  );
  • 초록

    Abstract A cantilever device with two gold coated silicon tips has been used to create two point contacts on a silicon surface. The lateral distance between the tips is 10μm. The tips are independently movable in vertical direction and the contact force is defined. While the contacts are closed, a complete set of electrical characteristics of the system is measured. An Ohmic current and a field dependent current are found, so the system behaves like a FET. The measured set of curves was fit with a MESFET model. A weak coupling between the bulk material and the current carried through surface states is found.


  • 주제어

    AFM .   Multiple tips .   Silicon .   MESFET .   Surface conductivity .   Temporary devices.  

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