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Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society v.10 no.3 suppl., 2010년, pp.S435 - S438   SCI SCIE
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Effects of oxygen addition on electrical properties of silicon quantum dots/amorphous silicon carbide superlattice

Kurokawa, Y.    (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-S9-9 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan  ); Yamada, S.   Miyajima, S.   Yamada, A.   Konagai, M.  
  • 초록

    It was found that the dark conductivity of a stoichiometric a-SiC thin film, which is used as barrier layers in a Si quantum dots superlattice (Si-QDSL), increased drastically after thermal annealing above 800 o C. This is due to the crystallization of an a-SiC phase in the films. To resolve this problem, CO 2 gas was introduced during the deposition of stoichiometric a-SiC thin films. As a result, the dark conductivity of the films annealed at either 900 or 1000 o C was reduced below 10 -9 S/cm, since the introduction of oxygen atoms into the films prevented the a-SiC phase from crystallizing during the annealing. O-containing Si-QDSLs were prepared and the dark conductivity of the O-containing Si-QDSLs was reduced in the range of 10 -6 -10 -7 S/cm and increased with increasing the diameter of Si-QDs, suggesting that the leakage in barrier layers was suppressed and the carrier transport through Si-QDs became predominant.


  • 주제어

    Silicon quantum dots .   The third generation solar cells .   Crystallization suppression.  

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