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Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society v.12 no.5, 2012년, pp.1256 - 1258   SCI SCIE
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Impact of rough silicon buffer layer on electronic quality of GaAs grown on Si substrate

Azeza, B.    (Laboratoire Micro-Optoelectroniques et Nanostructures, Faculte des Sciences de Monastir, Universite de Monastir, Avenue de l'environnement, 5019 Monastir, Tunisia  ); Ezzedini, M.   Zaaboub, Z.   M'ghaieth, R.   Sfaxi, L.   Hassen, F.   Maaref, H.  
  • 초록

    The electronic and the structural properties of n-GaAs layers grown on rough surface of silicon substrate by molecular beam epitaxy (MBE) has been investigated by photoluminescence (PL), time resolved photoluminescence (TRPL) and high resolution X-ray diffraction (HRXRD). The relationship between electronic and structural properties of the n-GaAs layer was checked, showing that the defect density is a strong cause for trapping the minority carriers. The impact of introducing intermediate rough silicon layer between silicon substrate and n-GaAs layer on the electronic properties was observed, showing that the structure grown on rough Si involves higher lifetime than those developed on flat silicon substrate. Such structure could be used for economic solar cells fabrication.


  • 주제어

    Time resolved photoluminescence .   High resolution X-ray diffraction .   Optoelectronics devices.  

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