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Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society v.12 no.5, 2012년, pp.1340 - 1344   SCI SCIE
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New trench gate power MOSFET with high breakdown voltage and reduced on-resistance using a SiGe zone in drift region

Mehrad, M.    (Electrical Engineering Department, Semnan University, Semnan, Iran  ); Orouji, A.A.  
  • 초록

    High breakdown voltage and reduced on-resistance are desired characteristics in power MOSFETs. In order to obtain an excellent performance of Trench Gate Power MOSFET, we have proposed a new structure in which a SiGe zone is incorporated in the drift region to reduce on-resistance. Also, the buried oxide is considered in the drift region that surrounds the SiGe zone to increase breakdown voltage. The proposed structure is called a SiGe Zone Trench Gate MOSFET (SZ-TG). Our simulation with two dimensional simulator shows that by reducing an electric field and controlling the effects of parasitic BJT transistor in the SZ-TG structure, we can expand power applications of trench gate power structures.


  • 주제어

    Breakdown voltage .   On-resistance .   Trench gate MOSFET .   SiGe zone .   Buried oxide (BOX).  

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