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Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society v.12 no.5, 2012년, pp.1381 - 1385   SCI SCIE
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Effect of oxygen partial pressure and annealing on nanocrystalline p-type ZnO:Sb thin films

Samanta, K.    (Condensed Matter Physics Division, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Kalpakkam 603102, India  ); Arora, A.K.   Hussain, S.   Chakravarty, S.   Katiyar, R.S.  
  • 초록

    We have investigated the effect of oxygen partial pressure and annealing on nanocrystalline p-type Sb-doped ZnO thin films, grown by pulsed laser deposition, with hole concentration of 6.5 x 10 18 /cm 3 and mobility of 53 cm 2 /V-s. Uses of higher working pressure or annealing are found to reduce carrier concentration. A strong correlation is observed between carrier concentration and the violet (3.02 eV) emission related to free Zn-vacancy; stronger the violet emission, smaller the carrier concentration. In contrast to earlier suggestion of using higher oxygen pressure for obtaining p-type conductivity, the present results show a deterioration of the quality of film.


  • 주제어

    p-Type ZnO .   Thin films .   Photoluminescence .   Defect states.  

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