본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

Growth mechanism of Co thin films formed by plasma-enhanced atomic layer deposition using NH3 as plasma reactant

Oh, I.K. ; Kim, H. ; Lee, H.B.R. ;
  • 초록  

    We investigated reaction mechanisms for the formation of Co thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) using NH 3 plasma as a counter-reactant. To investigate surface reactions during the PE-ALD Co, the process was divided into two half-reactions and these reactions were monitored using ex situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and an in situ residual gas analyzer (RGA). The cobaltocene (bis(cyclopentadienyl)-cobalt(II), CoCp 2 ) precursor reacts with the N-terminated surface formed by NH 3 plasma exposure, resulting in the formation of Co-Co bonds and the release of the Cp ligand and an N-containing byproduct. The NH 3 plasma species adsorb to Co-Cp sites and promote dissociation of Cp. Therefore, N atoms on the surface are a key medium for the deposition of Co thin films during sequential adsorption and desorption reactions between CoCp 2 and the surface. This result provides an insight into complicated chemical reactions involving PE-ALD and can be extended to other PE-ALD processes.


  • 주제어

    Co PE-ALD .   Residual gas analysis .   Reaction mechanism .   Cobaltocene .   NH3 plasma.  

 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • 원문이 없습니다.

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기