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Photoexcited resonance-enhanced nitrogen-trap GaAs1-xPx:N laser

Holonyak, N. (University of Illinois, Urbana, IL, USA ); Dupuis, R. ( ); Macksey, H. ( ); Zack, G. ( ); Craford, M. ( ); Finn, D. ( );
  • 초록  

    Data (77 K) on x = 0.41 and x = 0.46 N-doped GaAS 1-x P x are presented showing that the electron-hole recombination probability may be resonantly enhanced when the crystal composition is varied and the \Gamma conduction band minimum is made degenerate, or nearly degenerate, with the A -line N isoelectronic trap state ( E_{\Gamma} \approx E_{N} \sim 2.0 eV, x \approx 0.40 ). Data on x = 0.46 GaAs 1-x P x :N suggest that resonant enhancement occurs in a "turning" range |E_{\Gamma} - E_{N}| \leq 55 meV. A consequence of this work is that photopumped GaAs 1-x P x :N ( x = 0.46 ) exhibits laser operation at the unusually high photon energy of 2.032 eV (6100 Å, orange). The idea of resonance-enhanced recombination and the results now demonstrated in GaAs 1-x P x :N are general enough to be applicable also to p-n junctions.


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