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Gain-current relation for GaAs lasers with n-type and undoped active layers

Stern, F. (IBM Thomas J. Watson Research Laboratory, Yorktown Heights, NY, USA );
  • 초록  

    Results for the optical gain coefficient as a function of the nominal current density are given for GaAs lasers with compensated n-type active layers and with undoped active layers. The results suggest that n-type layers may give lower threshold currents near room temperature than do comparable p-type layers.


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