본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

IEEE transactions on components, packaging, and manufacturing technology v.6 no.12, 2016년, pp.1899 - 1904   SCI SCIE
본 등재정보는 저널의 등재정보를 참고하여 보여주는 베타서비스로 정확한 논문의 등재여부는 등재기관에 확인하시기 바랍니다.

Copper Pulse-Reverse Current Electrodeposition to Fill Blind Vias for 3-D TSV Integration

Tian, Qing Cai, Jian Zheng, Jingan Zhou, Can Li, Junhui Zhu, Wenhui
  • 초록  

    The through-silicon-via (TSV) interconnection in 3-D integration is one solution being explored to solve current 2-D interconnect problems in the semiconductor industry. In this paper, TSV fillings by pulse-reverse current electrodeposition of Cu with various parameters were carried out to improve the via filling performance. Especially, the influence of current density and electrodepositing time on the TSV filling property was studied. The high aspect ratio reaching 6:1 in via filling was achieved by applying the pulse-reverse current form, which was mainly caused by effective adsorption and redistribution of additives inside via.


 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • 원문이 없습니다.

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기