본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

IEEE microwave and wireless components letters : a publication of the IEEE Microwave Theory and Techniques Society v.27 no.1, 2017년, pp.58 - 60   SCI SCIE
본 등재정보는 저널의 등재정보를 참고하여 보여주는 베타서비스로 정확한 논문의 등재여부는 등재기관에 확인하시기 바랍니다.

A Low Power Inductorless Wideband LNA With Gm Enhancement and Noise Cancellation

Pan, Zhijian (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China ); Qin, Chuan ( Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China ); Ye, Zuochang ( Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China ); Wang, Yan ( );
  • 초록  

    This letter presents the design of an inductorless low power differential low-noise amplifier (LNA) in 65 nm Low Power (LP) CMOS technology for multi-standard radio applications between 100MHz and 4.3 GHz. Based on the combination of common-gate (CG) and common-source (CS) with shunt feedback (SFB) topologies, the LNA utilizes a cross-coupled push-pull structure to realize ${\text{g}_\text{m}}$ boosting and partial noise cancelling under low power consumption. A cascode transistor is used to alleviate the Miller effect and also constructs a current steering structure to increase the bandwidth and gain. These techniques result in a good overall performance tradeoff after sizing and biasing optimization under the power constraint. A prototype has been implemented and it exhibits a voltage gain of 21.2 dB, an NF of 2.8-4 dB over the frequency range of 100 MHz to 4.3 GHz. It consumes 2 mW from 1.2 V supply and occupies an active area of 0.05 mm 2 .


 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • 원문이 없습니다.

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기