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IEEE microwave and wireless components letters : a publication of the IEEE Microwave Theory and Techniques Society v.27 no.1, 2017년, pp.58 - 60   SCI SCIE
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A Low Power Inductorless Wideband LNA With Gm Enhancement and Noise Cancellation

Pan, Zhijian (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China ) ; Qin, Chuan (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China ) ; Ye, Zuochang (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China ) ; Wang, Yan ;
  • 초록  

    This letter presents the design of an inductorless low power differential low-noise amplifier (LNA) in 65 nm Low Power (LP) CMOS technology for multi-standard radio applications between 100MHz and 4.3 GHz. Based on the combination of common-gate (CG) and common-source (CS) with shunt feedback (SFB) topologies, the LNA utilizes a cross-coupled push-pull structure to realize ${\text{g}_\text{m}}$ boosting and partial noise cancelling under low power consumption. A cascode transistor is used to alleviate the Miller effect and also constructs a current steering structure to increase the bandwidth and gain. These techniques result in a good overall performance tradeoff after sizing and biasing optimization under the power constraint. A prototype has been implemented and it exhibits a voltage gain of 21.2 dB, an NF of 2.8-4 dB over the frequency range of 100 MHz to 4.3 GHz. It consumes 2 mW from 1.2 V supply and occupies an active area of 0.05 mm 2 .


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