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IEEE microwave and wireless components letters : a publication of the IEEE Microwave Theory and Techniques Society v.27 no.1, 2017년, pp.55 - 57   SCI SCIE
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A $K$ -Band High Efficiency High Power Monolithic GaAs Power Oscillator Using Class-E Network

Chang, Hong-Yeh (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan ); Lin, Chi-Hsien (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan ); Liu, Yu-Cheng (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan ); Li, Wen-Ping (Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan ); Wang, Yu-Chi (WIN Semiconductors Corporation, Taoyuan, Taiwan );
  • 초록  

    This letter presents design of a K-band high power high efficiency monolithic GaAs power oscillators using class-E load network with finite dc-feed inductance. To further extend the operation frequency up to millimeter-wave band with high efficiency, the core transistor is operated in the saturated region with overdriven condition to obtain the bifurcated current waveform. The proposed power oscillator is fabricated using a 0.15- $\mu \text {m}$ GaAs pseudomorphic high-electron mobility transistor process, and it features a tuning range from 23.5 to 24.5 GHz, a peak efficiency of 19%, a maximum output power of 21 dBm, and a phase noise of −106.3 dBc/Hz at 1-MHz offset.


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