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IEEE microwave and wireless components letters : a publication of the IEEE Microwave Theory and Techniques Society v.27 no.1, 2017년, pp.46 - 48   SCI SCIE
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RF-MEMS Tuned GaN HEMT based Cavity Oscillator for X-band

Horberg, Mikael (Department of Microtechnology and Nanoscience, Microwave Electronics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden ); Emanuelsson, Thomas ( Department of Microtechnology and Nanoscience, Microwave Electronics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden ); Ligander, Per ( Department of Microtechnology and Nanoscience, Microwave Electronics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden ); Lai, Szhau ( Department of Microtechnology and Nanoscience, Microwave Electronics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden ); Zirath, Herbert ( Department of Microtechnology and Nanoscience, Microwave Electronics Laboratory, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden ); Kuylenstierna, Dan ( );
  • 초록  

    This letter presents a radio frequency micro-electromechanical systems (RF-MEMS) tuned cavity oscillator for X-band. The active part of the oscillator is implemented in GaN-HEMT MMIC technology. The RF-MEMS-switches are realized on a quartz substrate that is surface mounted on a low loss PCB. The PCB is intruded in an aluminum cavity acting as an electrically moveable wall. For a three-row RF-MEMS setup, a tuning range of 5 % around an oscillation frequency of 10 GHz is demonstrated in measurements. The phase noise is as low as −140 dBc/Hz to −129 dBc/Hz at 100 kHz from the carrier, depending on the configuration of the RF-MEMS.


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