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IEEE microwave and wireless components letters : a publication of the IEEE Microwave Theory and Techniques Society v.27 no.1, 2017년, pp.73 - 75   SCI SCIE
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A Compact 60W X-Band GaN HEMT Power Amplifier MMIC

Tao, Hong-Qi (NEDI, Nanjing, P. R. China ); Hong, Wei ( State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University, Nanjing, P. R. China ); Zhang, Bin ( ); Yu, Xu-Ming ( );
  • 초록  

    The design and performance of a compact X-band power amplifier MMIC utilizing Nanjing Electronic Devices Institute’s (NEDI’s) $0.25~\mu \text {m}$ gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) technology is presented. The MMIC operates in pulse conditions with typical pulse width of $100~\mu $ sec and 10% duty cycle. An output power of 47.5 dBm to 48.7 dBm with over 20 dB power gain and a power added efficiency (PAE) of 40% to 45% over the band of 8-12 GHz under a drain voltage of 28 V have been achieved. The chip size is $3.5\times 3.8$ mm 2 and the amplifier delivers an output power density up to 5.57 W/mm 2 over the chip area and up to 6.43 W/mm over the active periphery of the power stage. The thermal resistance is 1.7 °C/W measured in CW mode.


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