본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

IEEE microwave and wireless components letters : a publication of the IEEE Microwave Theory and Techniques Society v.27 no.1, 2017년, pp.10 - 12   SCI SCIE
본 등재정보는 저널의 등재정보를 참고하여 보여주는 베타서비스로 정확한 논문의 등재여부는 등재기관에 확인하시기 바랍니다.

Low-Loss MMICs Viable Transmission Media for GaN-on-Low Resistivity Silicon Technology

Eblabla, A. (School of EngineeringThe University of Glasgow ); Benakaprasad, B. (School of EngineeringThe University of Glasgow ); Li, X. (School of EngineeringThe University of Glasgow ); Wallis, D. J. (Cambridge Centre for GaNThe University of Cambridge ); Guiney, I. (Cambridge Centre for GaNThe University of Cambridge ); Elgaid, K. ( );
  • 초록  

    In this work a novel ultra-low loss transmission media for RF GaN-on-low-resistivity silicon (LR-Si) substrates ( $\sigma cm) has been successfully demonstrated. The developed shielded-microstrip lines achieve comparable performance to those on semi-insulating (SI) GaAs substrates with transmission loss of 0.9 dB/mm for frequencies up to 67 GHz. Line performance was further enhanced by additional elevation of the shielded-microstrip lines using air-bridge technology above a $5~\mu \text {m}$ layer of benzocyclobutene (BCB) on shielded metalized ground planes. Transmission loss of 0.6 dB/mm for frequencies up to 67 GHz was obtained as a result of the extra elevation. Structure parameters were designed and optimized based on EM simulation for best performance. The work shows that the RF energy coupled into the substrate was eliminated, indicating the suitability of III-V-on-LR Si technology for millimeter-wave applications.


 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • 원문이 없습니다.

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기