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Journal of display technology v.12 no.12, 2016년, pp.1602 - 1608   SCIE
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Fabrication and Properties of Thin-Film InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes Transferred From Si (1 1 1) Substrate Onto a Thin Epoxy Resin Carrier

Liao, Qiang Yang, Yibin Chen, Weijie Han, Xiaobiao Chen, Jie Luo, Hui Lin, Jiali Qiu, Yunling Chen, Yinsong Wei, Jingting Wu, Zhisheng Chan, Iatneng Liu, Yang Zhang, Baijun
  • 초록  

    Crack-free thin film InGaN/GaN multiple quantum wells light-emitting diodes (LEDs) were successfully transferred from 2-in Si (1 1 1) growth substrate onto a thin epoxy resin carrier. The good chemical corrosion resistance of epoxy resin simplifies the protective processes during silicon substrate wet-chemical etching. The Raman spectra measurement shows an obvious relaxation of tensile strain after the LEDs structure transferred to epoxy resin carrier. Combining with a metal reflector deposition after silicon removed, the thin-film LEDs on epoxy resin carrier show significant improvement in comparison with the conventional LEDs on silicon. The operating voltage at 350 mA decreases from 4.95 to 4.5 V and the series resistance decreases from 3.1 to 2.6 Ω. Light output shows an increase of 92% after the LEDs transferred to epoxy resin carrier.


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