본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

IEEE transactions on electron devices v.64 no.2, 2017년, pp.622 - 628   SCI SCIE
본 등재정보는 저널의 등재정보를 참고하여 보여주는 베타서비스로 정확한 논문의 등재여부는 등재기관에 확인하시기 바랍니다.

Assessment of 2-D Transition Metal Dichalcogenide FETs at Sub-5-nm Gate Length Scale

Dong, Zhipeng Guo, Jing
  • 초록  

    2-D transition metal dichalcogenide (TMDC) FETs are promising devices for scaling beyond end of silicon CMOS nanoelectronics. By solving the quantum transport equation self-consistently with the Poisson equation, we explore the performance potential of TMDC FETs with a gate length in the sub-5-nm scale. The results show that the designs of gate spacer and underlap doping play an important role in device characteristics and performance. Both high-frequency performance potential and digital electronics performance potential are investigated. We show that the intrinsic cutoff frequency increases as the gate length scales down to 1 nm, and it is well above THz at L G = 1 nm. The gate fringing capacitance, however, could significantly lower the cutoff frequency, which is especially important at a short gate length of 1 nm. Simulation of a TMDC FET inverter shows that a small intrinsic delay, large voltage gain, and sufficiently large static noise margin can be maintained at an aggressively scaled gate length below 5 nm. 2-D TMDC FETs with a gate length down to 1 nm should have good performance potential in both radio frequency and digital electronics applications.


 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • 원문이 없습니다.

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기