본문 바로가기
HOME> 논문 > 논문 검색상세

논문 상세정보

IEEE transactions on electron devices v.64 no.2, 2017년, pp.500 - 506   SCI SCIE
본 등재정보는 저널의 등재정보를 참고하여 보여주는 베타서비스로 정확한 논문의 등재여부는 등재기관에 확인하시기 바랍니다.

TiSi(Ge) Contacts Formed at Low Temperature Achieving Around $2 \,\, \times \,\, 10^{-{9}}~\Omega $ cm2 Contact Resistivities to p-SiGe

Yu, Hao (imec, Leuven, Belgium ) ; Schaekers, Marc (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China ) ; Zhang, Jian (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China ) ; Wang, Lin-Lin (imec, Leuven, Belgium ) ; Everaert, Jean-Luc (imec, Leuven, Belgium ) ; Horiguchi, Naoto (imec, Leuven, Belgium ) ; Jiang, Yu-Long (imec, Leuven, Belgium ) ; Mocuta, Dan (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, Belgium ) ; Collaert, Nadine ; De Meyer, Kristin ;
  • 초록  

    This paper reports ultralow contact resistivities ( $\rho _{c})$ achieved on highly doped p-SiGe with two low-temperature contact formation methods. One method combines precontact amorphization implantation with ~500 °C rapid thermal processing (RTP)-based Ti germano-silicidation; $\rho _{c}$ achieved was $\sim 2.9\times 10^{-9}~\Omega \cdot $ cm 2 . The other method combines codeposited TiSi—Ti:Si =1:1—with ~450 °C RTP-based Ti silicidation; $\rho _{c}$ achieved was $\sim 1.7\times 10^{-9}~\Omega \cdot $ cm 2 . When $\rho _{c}$ reaches minimum, the TiSi(Ge) alloy is generally amorphous with embedded small crystallites, similar to the previous observations on pure Si substrates.


 활용도 분석

  • 상세보기

    amChart 영역
  • 원문보기

    amChart 영역

원문보기

무료다운로드
  • 원문이 없습니다.

유료 다운로드의 경우 해당 사이트의 정책에 따라 신규 회원가입, 로그인, 유료 구매 등이 필요할 수 있습니다. 해당 사이트에서 발생하는 귀하의 모든 정보활동은 NDSL의 서비스 정책과 무관합니다.

원문복사신청을 하시면, 일부 해외 인쇄학술지의 경우 외국학술지지원센터(FRIC)에서
무료 원문복사 서비스를 제공합니다.

NDSL에서는 해당 원문을 복사서비스하고 있습니다. 위의 원문복사신청 또는 장바구니 담기를 통하여 원문복사서비스 이용이 가능합니다.

이 논문과 함께 출판된 논문 + 더보기