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Ceramics international v.43 no.6, 2017년, pp.5343 - 5346   SCI SCIE SCOPUS
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Highly resistive SiC ceramics sintered with Al2O3-AlN-Y2O3 additions

Kim, Kwang Joo (Department of Physics, Konkuk University, Seoul 05029, Republic of Korea ) ; Eom, Jung-Hye (Functional Ceramics Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, The University of Seoul, Seoul 02504, Republic of Korea ) ; Kim, Young-Wook (Functional Ceramics Laboratory, Department of Materials Science and Engineering, The University of Seoul, Seoul 02504, Republic of Korea ) ; Seo, Won-Seon (Energy and Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 52851, Republic of Korea ) ; Lee, Mi-Jai (Electronic Materials Convergence Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 52851, Republic of Korea ) ; Hwang, Sung Sic (SKC Solmics, Pyeongtaek 17784, Republic of Korea ) ;
  • 초록  

    Abstract A polycrystalline SiC ceramic prepared by pressureless sintering of α-SiC powders with 3vol% Al 2 O 3 -AlN-Y 2 O 3 additives in an argon atmosphere exhibited a high electrical resistivity of ~10 13 Ωcm at room temperature. X-ray diffraction revealed that the SiC ceramics consisted mainly of 6H- and 4H-SiC polytypes. Scanning electron microscopy and high resolution transmission electron microscopy investigations showed that the SiC specimen contained micron-sized grains surrounded by an amorphous Al-Y-Si-O-C-N film with a thickness of ~4.85nm. The thick boundary film between the grains contributed to the high resistivity of the SiC ceramic.


  • 주제어

    SiC .   Electrical properties .   Pressureless sintering.  

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