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Distinct Photoluminescence in Multilayered van der Waals Heterostructures of MoS2/WS2/ReS2 and BN

Bhat, Usha (International Centre for Materials Science, Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Bangalore 560064, India ) ; Singh, Rajendra (International Centre for Materials Science, Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Bangalore 560064, India ) ; Vishal, Badri (International Centre for Materials Science, Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Bangalore 560064, India ) ; Sharma, Ankit (International Centre for Materials Science, Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Bangalore 560064, India ) ; Horta, Sharona (International Centre for Materials Science, Chemistry and Physics of Materials Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Bangalore 560064, India<count ) ; Sahu, Rajib ; Datta, Ranjan ;
  • 초록  

    Van der Waals heterostructures of (TMD L = 1 /BN L = 1–4 /TMD L = 1/ BN L = 1–4 ), [TMD = MoS 2 , WS 2 , and ReS 2 ] are grown on c ‐plane sapphire substrate by pulsed laser deposition (PLD) under slow kinetic condition. The heterostructure systems show strong emission around 2.3 eV and subsidiary peaks around 2.8, 1.9, 1.7, and 1.5 eV. BN and transition metal dichalcogenides (TMDs) form type‐I heterojunction and the emission peaks observed are explained in terms of various band to band recombination processes and considering relative orientation of Brillouin zones. The emission peak around 2.3 eV is promising for solar and photovoltaic applications. The observation is almost similar for three different heterostructure systems.


  • 주제어

    BN .   photoluminescence .   pulsed laser deposition .   transition metal dichalcogenide .   vdW heterostructures.  

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