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AIP advances v.8 no.1, 2018년, pp.015017 -    SCIE
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An investigation into the effective surface passivation of quantum dots by a photo-assisted chemical method

Joo, So-Yeong (Advanced Materials & ) ; Park, Hyun-Su (Processing Center, Institute for Advanced Engineering (IAE), Yongin-Si 17180, Republic of Korea ) ; Kim, Do-yeon (Department of Energy Engineering, Dankook University, Cheonan-si 31116, Republic of Korea ) ; Kim, Bum-Sung (Department of Energy Engineering, Dankook University, Cheonan-si 31116, Republic of Korea ) ; Lee, Chan Gi (Korea Institute of Industrial Technology, Rare Metals Research Group, 7-47, Songdo-dong, Yeonsu-gu, Incheon 406-130, Republic of Korea ) ; Kim, Woo-Byoung (Advanced Materials & ) ;
  • 초록  

    In this study, we have developed an effective amino passivation process for quantum dots (QDs) at room temperature and have investigated a passivation mechanism using a photo-assisted chemical method. As a result of the reverse reaction of the H2O molecules, the etching kinetics of the photo-assisted chemical method increased upon increasing the 3-amino-1-propanol (APOL)/H2O ratio of the etching solution. Photon-excited electron-hole pairs lead to strong bonding between the organic and surface atoms of the QDs, and results in an increase of the quantum yield (QY%). This passivation method is also applicable to CdSe/ZnSe core/shell structures of QDs, due to the passivation of mid-gap defects states at the interface. The QY% of the as-synthesized CdSe QDs is dramatically enhanced by the amino passivation from 37% to 75% and the QY% of the CdSe/ZnSe core/shell QDs is also improved by similar to 28%. (c) 2018 Author(s).


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