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IEEE journal of quantum electronics 20건

  1. [해외논문]   [Front cover and table of contents  


    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 0 - 0 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Presents the table of contents for this issue of this periodical.

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  2. [해외논문]   Contributors  


    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 0 - 0 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Contains an entry for each author and co-author included in this issue of the publication.

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  3. [해외논문]   Saturation behavior of the spontaneous emission from double-heterostructure junction lasers operating high above threshold  

    Paoli, T. (Bell Telephone Laboratories, Inc., Murray Hill, NJ, USA)
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 267 - 272 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Saturation of the spontaneous emission intensity from stripe-geometry double-heterostructure junction lasers has been observed for currents from threshold up to three times threshold. The present observation of saturated luminescence depends upon the spatial uniformity of the saturated gain obtained in a laser with a thin active region ( \sim0.2-0.3 \mu m) and weak optical confinement. In lasers with thicker active regions ( \sim1 \mu m) and stronger optical confinement, the spontaneous emission does not saturate at threshold but continues to increase with current at a reduced rate. The increasing emission is shown to originate in spatial regions where the field intensity is low and consequently the gain is not saturated. At pumping levels high above threshold, the nonuniform saturation of the gain (transverse spatial hole burning) leads to increased gain and finally oscillation for other transverse modes.

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  4. [해외논문]   Variation of spontaneous emission with current in GaAs homostructure and double-heterostructure injection lasers  

    Brosson, P. (Instituto de Física "Gleb Wataghin," Universidade Estadual de Campinas, Campinas, SP, Brazil) , Ripper, J. , Patel, N.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 273 - 280 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Partial saturation and change of the slope of the spontaneous emission are observed in CW homostructure GaAs lasers and pulsed homostructure and DH GaAs lasers at the onset of the laser modes. An important new effect that we have observed is a reduction of the spontaneous emission above threshold for homostructure lasers. The results are discussed in comparison with the previously published work and a possible explanation for the difference of behavior between homostructure and DH lasers is proposed.

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  5. [해외논문]   Investigation of the dielectric waveguide modes in homostructure GaAs laser  

    Philipp-Rutz, E. (Advanced Laser Development Department, IBM Corporation, Gaithersburg, MD, USA)
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 282 - 290 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    The investigation of the propagation modes in a homostructure GaAs laser and particularly of the spatial displacement of the TE and TM mode is reported. For this investigation, a homostructure GaAs laser was operated in an external optical cavity and experiments were performed where the resonator alignment was varied to displace the image of the p-n junction, formed in the optical cavity, from the p-n junction of the laser diode. The peak power of the laser radiation (which is in the TEM 00 mode), the delay, the optical waveform, and the polarization were measured at room temperature for different cavity alignments. For the evaluation of the propagation modes the experimental results are correlated with the computed field distributions of the modes in a three-layer dielectric waveguide.

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  6. [해외논문]   Gain-current relation for GaAs lasers with n-type and undoped active layers  

    Stern, F. (IBM Thomas J. Watson Research Laboratory, Yorktown Heights, NY, USA)
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 290 - 294 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Results for the optical gain coefficient as a function of the nominal current density are given for GaAs lasers with compensated n-type active layers and with undoped active layers. The results suggest that n-type layers may give lower threshold currents near room temperature than do comparable p-type layers.

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  7. [해외논문]   Optically pumped room-temperature GaAs lasers  

    Chinn, S. (Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) , Rossi, J. , Wolfe, C. , Mooradian, A.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 294 - 300 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Room-temperature pulsed operation of GaAs cleaved platelet lasers bulk optically pumped near the band gap by a tunable parametric oscillator has been studied as a function of several variables. Both n-type high-purity GaAs ( 1.6 \times 10^{14} cm -3 \leq N_{d} + N_{a} \leq 1.6 \times 10^{16} cm -3 ) and n-type Si-doped GaAs ( N_{d} - N_{a} \simeq 2-5 \times 10^{18} cm -3 ) have been investigated. The peak of the laser emission at threshold for all samples occurred in the range from 0.88 to 0.89 μm, but the total width of laser emission in the Si-doped samples was significantly broader than in the pure samples. As the pump photon energy E p decreased, the threshold power necessary for lasing increased. This is ascribed to the increasing penetration of the pump radiation and the consequent decrease in excess carrier density, and to the lower degree of population inversion as the pump photon energy approaches the threshold quasi-Fermi level separation necessary for stimulated emission. For the high-purity samples, the lasing behavior did not depend heavily on impurity concentration and was more strongly a function of surface and cleaved-facet quality of individual samples. Typical threshold power densities of 1.75 W/mil (corresponding to approximately 7 \times 10^{5} W/cm 2 ) were measured and at an incident power level of twice threshold, peak power conversion efficiencies up to 4.5 percent were obtained. Measurement of a typical far-field angular mode pattern showed a full-width half-maximum power (FWHM) transverse angle of about 10°, corresponding to an emitting depth perpendicular to the pump face \sim5 \mu m. At higher excitation, stimulated emission was observed over a width of 150 Å. Measurements on the Si-doped material showed marked differences from the high-purity n-type samples. At the lower pump energies used on the high-purity samples, the GaAs:Si samples were more transparent, and consequently, higher pump energies had to be used to obtain lasing. Thresholds comparable to those in the pure GaAs were measured, and lasing occurred at roughly the same wavelength as before. However, at a pump power twice threshold, stimulated emission occurred over an increased range from 0.88 to 0.91 μm, a width of 300 Å, and the measured FWHM angle decreased to 6°. Peak power conversion efficiencies up to 11 percent have been obtained. This material seems to be quite promising for obtaining efficient bulk optical pumping, with the advantages of lower optical flux densities at the resonator faces and better spatial mode quality.

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  8. [해외논문]   Gradual degradation of GaAs double-heterostructure lasers  

    Newman, D. (British Post Office Research Department, Martlesham Heath, Ipswich, Suffold, England) , Ritchie, S.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 300 - 305 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Measurements have been made in the manner in which device parameters vary during forward-biased operation of GaAs double-heterostructure lasers. The threshold current increases, but the slope external efficiency remains relatively constant. A conclusion is that optically absorbing or scattering centers are not the cause of degradation. The increase of threshold is attributed to an increasing nonradiative recombination component, the defect responsible for which is not yet determined. The important question regarding the role of optical flux is examined and it is shown that this is not the cause of the observed degradation in device characteristics.

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  9. [해외논문]   Time behavior of the internal Q switching in GaAs lasers under electron-beam excitation  

    Masuyama, A. (Osaka University, Osaka, Japan) , Kawabe, M. , Masuda, K. , Namba, S.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 324 - 327 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Time-resolved spectra of an internal Q -switching emission of electron-beam-excited GaAs lasers were measured. The spectra shifted to longer wavelengths at the rate of 5.63 Å/ns at 85 K. Time-resolves spectra of a normal laser emission were also measured to be shifted to longer wavelengths at the rate of about 0.3 Å/ns. This remarkable difference of the spectral shifts can be understood if the former shift is caused by the quasi-Fermi level in the conduction band and the latter shift is caused by thermal effects.

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  10. [해외논문]   Time delays and Q switching in homostructure and heterostructure injection lasers  

    Adams, M. (University College, Cardiff, Wales, United Kingdom) , Grundorfer, S. , Thomas, B. , Davies, C. , Mistry, D.
    IEEE journal of quantum electronics v.9 no.2 pt.2 ,pp. 328 - 337 , 1973 , 0018-9197 ,

    초록

    Preliminary results are reported of a joint experimental-theoretical study of time delays and Q -switching effects in homostructure and heterostructure lasers. Spectral measurements of the normal lasing and Q -switching pulses indicate a broadening of the spectrum during the delay, with a high-energy emission during the Q -switched output. These experimental results are interpreted on the basis of a theoretical model involving saturable absorption of the lasing emission via states in the conduction band "tail," while the emission itself results from transitions associated with states in the parabolic part of the conduction band for temperatures above a certain critical temperature T c .

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