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電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Elec... 22건

  1. [해외논문]   平成23年電気学会産業応用部門大会 大会開催案内と参加申し込み  


    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. NL8_2 - NL8_3 , 2011 , 0913-6339 ,

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  2. [해외논문]   Extended Summaries  


    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. ES8_1 - ES8_15 , 2011 , 0913-6339 ,

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  3. [해외논문]   IEEJ Industry Applications Society  


    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. L8_1 , 2011 , 0913-6339 ,

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  4. [해외논문]   国際会議情報  


    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. NL8_4 , 2011 , 0913-6339 ,

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  5. [해외논문]   産業応用部門編修長に就任して  

    Takeshita, Takaharu
    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. NL8_1 - NL8_1 , 2011 , 0913-6339 ,

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  6. [해외논문]   技術開発レポート:実用化した超電導技術;超電導電力貯蔵装置(SMES)  

    石井 祐介 ; 野村 俊自
    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. NL8_5 - NL8_5 , 2011 , 0913-6339 ,

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  7. [해외논문]   研究グループ紹介:芝浦工業大学工学部電気工学科 電力システム研究室  

    藤田 吾郎 ; 大川 貴宏
    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. NL8_6 - NL8_6 , 2011 , 0913-6339 ,

    초록

    Our research has been served for study on control, operation, analysis of power sy stem, which consists 2 D.C., 3 M.C., and 11 B.C. students. At pr esent development of smart grid flexiblization is mainly focused.

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  8. [해외논문]   Dynamic Properties and Stability Assessment of Current-Fed Converters in Photovoltaic Applications  

    Leppä (Elecrical Energy Engineering, Tampere University of Technology ) , aho, Jari (Elecrical Energy Engineering, Tampere University of Technology ) , Huusari, Juha (Elecrical Energy Engineering, Tampere University of Technology ) , Nousiainen, Lari (Elecrical Energy Engineering, Tampere University of Technology ) , Puukko, Joonas (Elecrical Energy Engineering, Tampere University of Technology) , Suntio, Teuvo
    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. 976 - 984 , 2011 , 0913-6339 ,

    초록

    This paper presents the general dynamic descriptions of current-fed converters applied in the solar or photovoltaic applications including an impedance-based method to assess the stability of the corresponding interconnected system. Several earlier unknown general parameters are indentified governing either the low-frequency behavior of the closed-loop converter or affecting the source or load interactions. Experimental evidence is provided to support the theoretical findings based on current-fed superbuck and boost converters both in time and frequency domains.

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  9. [해외논문]   A Study of Vehicle Energy Management during Warming up Process Using VHDL-AMS Multi-domain Simulation  

    Tsuji, Kimitoshi (Advanced Vehicle Control System Engineering Dev., TOYOTA MOTOR CORPORATION ) , Kido, Yasunari (Advanced Vehicle Control System Engineering Dev., TOYOTA MOTOR CORPORATION ) , Abe, Takashi (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Nagasaki University)
    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. 985 - 991 , 2011 , 0913-6339 ,

    초록

    In this paper, by employing thermal characteristic modeling to the main components of the vehicle model for example, engine, transmission and battery, we examine the heat energy management and fuel consumption of the testing drive patterns especially during warming up process. The simulation data agree well with measurement data. Our vehicle simulation results provide VHDL-AMS validity for multi-domain energy management and the vehicle system planning.

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  10. [해외논문]   Reliability Design for Neutron Induced Single-Event Burnout of IGBT  

    Shoji, Tomoyuki (Toyota Central R&D Labs., Inc. ) , Nishida, Shuichi (Toyota Motor Corporation ) , Ohnishi, Toyokazu (Toyota Motor Corporation ) , Fujikawa, Touma (Toyota Motor Corporation ) , Nose, Noboru (Toyota Motor Corporation ) , Hamada, Kimimori (Toyota Motor Corporation ) , Ishiko, Masayasu (Toyota Central R&D Labs., Inc.)
    電氣學會論文誌. The Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. D, A publication of industry applications society. D, 産業應用 v.131 no.8 ,pp. 992 - 999 , 2011 , 0913-6339 ,

    초록

    Single-event burnout (SEB) caused by cosmic ray neutrons leads to catastrophic failures in insulated gate bipolar transistors (IGBTs). It was found experimentally that the incident neutron induced SEB failure rate increases as a function of the applied collector voltage. Moreover, the failure rate increased sharply with an increase in the applied collector voltage when the voltage exceeded a certain threshold value (SEB cutoff voltage).In this paper, transient device simulation results indicate that impact ionization at the n-drift/n + buffer boundary is a crucially important factor in the turning-on of the parasitic pnp transistor, and eventually latch-up of the parasitic thyristor causes SEB. In addition, the device parameter dependency of the SEB cutoff voltage was analytically derived from the latch-up condition of the parasitic thyristor. As a result, it was confirmed that reducing the current gain of the parasitic transistor, such as by increasing the n-drift region thickness d was effective in increasing the SEB cutoff voltage. Furthermore, `white' neutron-irradiation experiments demonstrated that suppressing the inherent parasitic thyristor action leads to an improvement of the SEB cutoff voltage. It was confirmed that current gain optimization of the parasitic transistor is a crucial factor for establishing highly reliable design against chance failures.

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